Ⅲ族氮化物晶体的制造方法及Ⅲ族氮化物晶体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980127950.8

申请日：

2009-06-26

公开(公告)号：

CN102099510A

公开(公告)日：

2011-06-15

发明(设计)人：

宫永伦正水原奈保谷崎圭祐佐藤一成中幡英章荒川聪山本喜之樱田隆

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C30B2306

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-15	公开	公开
2014-01-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101687694143 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2009801279508 申请公布日:20110615
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096109376 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2009801279508 申请日:20090626

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物晶体的制造方法、Ⅲ族氮化物晶体衬底及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

弘田龙 ;

上松康二 ;

川濑智博 .

中国专利 :CN101421443B ,2009-04-29

[2]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113802185A ,2021-12-17

[3]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113808926A ,2021-12-17

[4]

Ⅲ族元素氮化物晶体的制造方法及Ⅲ族元素氮化物晶体 [P].

山田修 ;

峯本尚 ;

平中弘一 ;

畑山健 ;

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

川村史朗 ;

北冈康夫 .

中国专利 :CN101558188A ,2009-10-14

[5]

制造Ⅲ族氮化物晶体的方法 [P].

水原奈保 ;

上松康二 ;

宫永伦正 ;

谷崎圭祐 ;

中幡英章 ;

中畑成二 ;

冈久拓司 .

中国专利 :CN101535533A ,2009-09-16

[6]

制造Ⅲ族氮化物晶体的方法 [P].

佐藤史隆 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101509146A ,2009-08-19

[7]

III族氮化物晶体 [P].

上松康二 ;

长田英树 ;

中畑成二 ;

藤原伸介 .

中国专利 :CN104250853B ,2014-12-31

[8]

13族氮化物晶体 [P].

下平孝直 ;

平尾崇行 ;

今井克宏 .

中国专利 :CN103556225B ,2014-02-05

[9]

III族氮化物晶体的制造方法以及由此得到的III族氮化物晶体与应用该晶体的III族氮化物晶体基板 [P].

北冈康夫 ;

峯本尚 ;

木户口勳 ;

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

川村史朗 .

中国专利 :CN1898778A ,2007-01-17

[10]

III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

泷野淳一 ;

隅智亮 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113882020A ,2022-01-04

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