碳化硅装置及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201780019386.2
申请日
2017-02-23
公开(公告)号
CN108780816A
公开(公告)日
2018-11-09
发明(设计)人
P.A.罗西 L.D.斯特瓦诺维奇 G.T.邓恩 A.V.博罗特尼科夫
申请人
申请人地址
美国纽约州
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L21336 H01L2912 H01L2908 H01L29808 H01L29745 H01L29739
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
徐予红;杨美灵
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
碳化硅MOSFET器件及其制作方法 [P]. 
袁俊 .
中国专利 :CN114464680B ,2025-12-05
[2]
碳化硅MOSFET器件及其制作方法 [P]. 
袁俊 .
中国专利 :CN114464680A ,2022-05-10
[3]
碳化硅器件及其制作方法 [P]. 
王士京 ;
王兆祥 ;
张名瑜 ;
王铃沣 ;
王昕 ;
李俭 .
中国专利 :CN119008400B ,2025-02-25
[4]
碳化硅器件及其制作方法 [P]. 
王士京 ;
王兆祥 ;
张名瑜 ;
王铃沣 ;
王昕 ;
李俭 .
中国专利 :CN119008400A ,2024-11-22
[5]
碳化硅半导体器件及其制作方法 [P]. 
袁俊 .
中国专利 :CN114141627A ,2022-03-04
[6]
碳化硅半导体器件及其制作方法 [P]. 
袁俊 .
中国专利 :CN114141627B ,2025-07-11
[7]
碳化硅功率器件及其制作方法 [P]. 
罗曦溪 .
中国专利 :CN120751750B ,2025-12-12
[8]
碳化硅MOSFET器件及其制作方法 [P]. 
邓小川 ;
陈茜茜 ;
李立均 ;
李轩 ;
张波 .
中国专利 :CN105762176B ,2016-07-13
[9]
碳化硅MOSFET器件及其制作方法 [P]. 
袁俊 .
中国专利 :CN114883412B ,2025-12-02
[10]
碳化硅功率器件及其制作方法 [P]. 
胡洪兴 ;
蔡文必 ;
郭飞 ;
郭锦鹏 ;
周永田 ;
王勇 ;
陶永洪 .
中国专利 :CN113707710A ,2021-11-26