一种原子层沉积技术生长NbSx薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911067518.6

申请日：

2019-11-04

公开(公告)号：

CN110747448A

公开(公告)日：

2020-02-04

发明(设计)人：

丁玉强杜立永王科炎

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

C23C16455 B82Y3000 B82Y4000 B01J2704

代理机构：

哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211

代理人：

彭素琴

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-03	授权	授权
2020-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/30 申请日:20191104
2020-02-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种原子层沉积技术生长SnSx薄膜的方法 [P].

张羽翔 ;

姚川 ;

张艳鸽 ;

于东亮 ;

王松涛 ;

张时星 ;

秦娜 ;

郭鑫 ;

瞿轩轩 ;

王潚君 ;

李雪仃 ;

董颂扬 .

中国专利 :CN114875390A ,2022-08-09

[2]

一种原子层沉积技术生长MnxN薄膜的方法 [P].

杜立永 ;

丁玉强 .

中国专利 :CN110804731A ,2020-02-18

[3]

一种原子层沉积技术生长NbxC薄膜的方法 [P].

丁玉强 ;

何冬梅 ;

杜立永 .

中国专利 :CN112458432A ,2021-03-09

[4]

一种原子层沉积技术ALD生长NiSix薄膜的方法 [P].

张羽翔 ;

姚川 ;

张时星 ;

李会 ;

吕春杰 ;

赵艳玲 ;

周琪 ;

甘娜 ;

张慧 ;

阴文玉 .

中国专利 :CN112442681A ,2021-03-05

[5]

一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法 [P].

丁玉强 ;

何冬梅 ;

杜立永 .

中国专利 :CN112647059B ,2021-04-13

[6]

一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法 [P].

丁玉强 ;

杜立永 ;

张羽翔 ;

赵超 ;

项金娟 .

中国专利 :CN106011778B ,2016-10-12

[7]

一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法 [P].

杜立永 ;

何冬梅 ;

丁玉强 .

中国专利 :CN112553600B ,2021-03-26

[8]

一种热原子层沉积技术ALD生长CoSix薄膜的方法 [P].

张羽翔 ;

姚川 ;

李会 ;

张时星 ;

吕春杰 ;

梁晓雪 ;

莫美娟 ;

湛亚琴 ;

刘娜 ;

王恒 .

中国专利 :CN112281138A ,2021-01-29

[9]

原子层沉积技术制备薄膜的实现方法 [P].

李春雷 ;

李东旗 ;

何金正 .

中国专利 :CN105568256A ,2016-05-11

[10]

一种热原子层沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法 [P].

丁玉强 ;

杜树雷 ;

杜立永 .

中国专利 :CN107142459A ,2017-09-08

← 1 2 3 4 5 →