一种热原子层沉积技术ALD生长CoSix薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011077350.X

申请日：

2020-10-10

公开(公告)号：

CN112281138A

公开(公告)日：

2021-01-29

发明(设计)人：

张羽翔姚川李会张时星吕春杰梁晓雪莫美娟湛亚琴刘娜王恒

申请人：

申请人地址：

461002 河南省许昌市魏都区八一路88号

IPC主分类号：

C23C1642

IPC分类号：

C23C16455

代理机构：

北京化育知识产权代理有限公司 11833

代理人：

涂琪顺

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/42 申请日:20201010
2021-07-30	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C23C 16/42 申请公布日:20210129
2021-01-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种原子层沉积技术ALD生长NiSix薄膜的方法 [P].

张羽翔 ;

姚川 ;

张时星 ;

李会 ;

吕春杰 ;

赵艳玲 ;

周琪 ;

甘娜 ;

张慧 ;

阴文玉 .

中国专利 :CN112442681A ,2021-03-05

[2]

一种热原子层沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法 [P].

丁玉强 ;

杜树雷 ;

杜立永 .

中国专利 :CN107142459A ,2017-09-08

[3]

一种原子层沉积技术生长MnxN薄膜的方法 [P].

杜立永 ;

丁玉强 .

中国专利 :CN110804731A ,2020-02-18

[4]

一种原子层沉积技术生长NbxC薄膜的方法 [P].

丁玉强 ;

何冬梅 ;

杜立永 .

中国专利 :CN112458432A ,2021-03-09

[5]

一种原子层沉积技术生长NbSx薄膜的方法 [P].

丁玉强 ;

杜立永 ;

王科炎 .

中国专利 :CN110747448A ,2020-02-04

[6]

一种原子层沉积技术生长SnSx薄膜的方法 [P].

张羽翔 ;

姚川 ;

张艳鸽 ;

于东亮 ;

王松涛 ;

张时星 ;

秦娜 ;

郭鑫 ;

瞿轩轩 ;

王潚君 ;

李雪仃 ;

董颂扬 .

中国专利 :CN114875390A ,2022-08-09

[7]

一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法 [P].

丁玉强 ;

何冬梅 ;

杜立永 .

中国专利 :CN112647059B ,2021-04-13

[8]

一种原子层沉积法制备FexN薄膜的方法 [P].

丁玉强 ;

杜立永 ;

黄伟 .

中国专利 :CN109504950A ,2019-03-22

[9]

一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法 [P].

丁玉强 ;

杜立永 ;

张羽翔 ;

赵超 ;

项金娟 .

中国专利 :CN106011778B ,2016-10-12

[10]

一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法 [P].

杜立永 ;

何冬梅 ;

丁玉强 .

中国专利 :CN112553600B ,2021-03-26

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