高深宽比氧化硅刻蚀工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810222444.4

申请日：

2008-09-17

公开(公告)号：

CN101372311A

公开(公告)日：

2009-02-25

发明(设计)人：

罗葵张大成王兆江李婷田大宇王玮王颖李静

申请人：

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司

代理人：

王朋飞

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-25	公开	公开
2009-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-11-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101207915986 IPC(主分类):B81C 1/00 专利申请号:2008102224444 公开日:20090225

共 50 条

[1]

高深宽比玻璃刻蚀工艺 [P].

罗葵 ;

张大成 ;

王兆江 ;

李婷 ;

田大宇 ;

王玮 ;

王颖 ;

李静 .

中国专利 :CN101357825A ,2009-02-04

[2]

超高深宽比SONO刻蚀工艺 [P].

刘隆冬 ;

王猛 ;

陈保友 ;

苏恒 ;

朱喜峰 ;

肖为引 ;

方振 .

中国专利 :CN107731750B ,2018-02-23

[3]

碳化硅高深宽比槽刻蚀工艺优化方法 [P].

盛况 ;

任娜 ;

钟浩 ;

柏松 ;

黄润华 ;

李士颜 .

中国专利 :CN114664649A ,2022-06-24

[4]

高深宽比硅深刻蚀方法 [P].

张大成 ;

李明 ;

李婷 ;

邓珂 ;

李修函 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1209799C ,2003-07-23

[5]

高深宽比的浅沟槽隔离刻蚀方法 [P].

符雅丽 .

中国专利 :CN105655283A ,2016-06-08

[6]

一种高深宽比垂直玻璃通孔的刻蚀方法 [P].

丹尼尔·吉多蒂 ;

靖向萌 ;

张名川 .

中国专利 :CN103700621A ,2014-04-02

[7]

一种高深宽比刻蚀结构及其制造方法 [P].

王士京 ;

梁洁 ;

王兆祥 ;

胥沛雯 ;

吴倩 ;

方文强 .

中国专利 :CN121123019A ,2025-12-12

[8]

清洁高深宽比通孔 [P].

刘杰 ;

S·朴 ;

A·王 ;

Z·崔 ;

N·K·英格尔 .

中国专利 :CN107810546B ,2018-03-16

[9]

用添加剂气体进行的高深宽比接触刻蚀 [P].

张度 ;

王明美 .

日本专利 :CN120752746A ,2025-10-03

[10]

氧化硅选择性干式刻蚀工艺 [P].

张祺 ;

吕新亮 ;

仲華 ;

杨海春 .

中国专利 :CN112789711A ,2021-05-11

← 1 2 3 4 5 →