介电层抛光液

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910001030.3

申请日：

2009-01-20

公开(公告)号：

CN101781522A

公开(公告)日：

2010-07-21

发明(设计)人：

闵学勇邢振林

申请人：

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山市开发区蓬朗章基路东

IPC主分类号：

C09G102

IPC分类号：

H01L213105

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-07-21	公开	公开
2012-10-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101455373460 IPC(主分类):C09G 1/02 专利申请号:2009100010303 申请公布日:20100721

共 50 条

[1]

钨抛光液 [P].

闵学勇 ;

邢振林 .

中国专利 :CN101781766A ,2010-07-21

[2]

晶圆精抛光液 [P].

闵学勇 ;

邢振林 .

中国专利 :CN101781524A ,2010-07-21

[3]

晶圆粗抛光液 [P].

闵学勇 ;

邢振林 .

中国专利 :CN101781525A ,2010-07-21

[4]

可循环使用的抛光液 [P].

刘洪 ;

闵学勇 ;

邢政林 .

中国专利 :CN101392150A ,2009-03-25

[5]

浅沟槽隔离抛光液 [P].

闵学勇 ;

邢振林 .

中国专利 :CN101781523A ,2010-07-21

[6]

施翊璇 ;

汤弢 .

中国专利 :CN116285697B ,2025-04-11

[7]

用于抛光低介电材料的抛光液 [P].

陈国栋 ;

宋伟红 ;

荆建芬 ;

徐春 ;

顾元 .

中国专利 :CN101108952A ,2008-01-23

[8]

用于抛光低介电材料的抛光液 [P].

陈国栋 ;

宋伟红 ;

荆建芬 ;

徐春 ;

顾元 .

中国专利 :CN101490734A ,2009-07-22

[9]

抛光液及应用该抛光液对CdS晶片抛光的抛光方法 [P].

李晖 ;

徐永宽 ;

程红娟 .

中国专利 :CN102952467A ,2013-03-06

[10]

一种氧化层抛光液及其应用 [P].

崔晓坤 ;

卞鹏程 ;

王庆伟 ;

徐贺 ;

李国庆 ;

王瑞芹 ;

韩翠婷 ;

张宏源 .

中国专利 :CN119592227A ,2025-03-11

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