半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610804876.0

申请日：

2016-09-06

公开(公告)号：

CN106207753A

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

方瑞禹

申请人：

申请人地址：

266555 山东省青岛市经济技术开发区前湾港路218号

IPC主分类号：

H01S532

IPC分类号：

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司 11438

代理人：

邢雪红;乔彬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-07	公开	公开
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695171969 IPC(主分类):H01S 5/32 专利申请号:2016108048760 申请日:20160906
2019-09-03	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体激光芯片及半导体激光装置 [P].

方瑞禹 .

中国专利 :CN106785914A ,2017-05-31

[2]

半导体激光元件及其制造方法、半导体激光装置 [P].

绵谷力 ;

宫下宗治 ;

西田武弘 .

日本专利 :CN114762201B ,2024-12-20

[3]

半导体激光元件及其制造方法、半导体激光装置 [P].

绵谷力 ;

宫下宗治 ;

西田武弘 .

中国专利 :CN114762201A ,2022-07-15

[4]

半导体激光芯片及其制造方法 [P].

胡海 ;

何晋国 .

中国专利 :CN103956647A ,2014-07-30

[5]

半导体激光器芯片及其制造方法、半导体激光装置 [P].

川上俊之 ;

有吉章 .

中国专利 :CN102088162A ,2011-06-08

[6]

半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件 [P].

张宇昆 ;

周立 ;

王俊 ;

靳嫣然 ;

胡燚文 ;

杨文帆 ;

李婷 ;

闵大勇 .

中国专利 :CN119726361B ,2025-05-23

[7]

半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件 [P].

张宇昆 ;

周立 ;

王俊 ;

靳嫣然 ;

胡燚文 ;

杨文帆 ;

李婷 ;

闵大勇 .

中国专利 :CN119726361A ,2025-03-28

[8]

半导体激光装置 [P].

筱原久幸 ;

辻亮 ;

伊藤隆 ;

西山伸宏 .

中国专利 :CN101034789A ,2007-09-12

[9]

半导体激光装置 [P].

田尻浩之 ;

酒井贤司 ;

泉和刚 .

中国专利 :CN112805887A ,2021-05-14

[10]

半导体激光装置 [P].

酒井贤司 ;

泉和刚 .

中国专利 :CN112771738A ,2021-05-07

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