半导体激光装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710097123.1

申请日：

2005-03-30

公开(公告)号：

CN101034789A

公开(公告)日：

2007-09-12

发明(设计)人：

筱原久幸辻亮伊藤隆西山伸宏

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S500

IPC分类号：

H01S5022

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李香兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-11-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-09-12	公开	公开
2009-08-26	授权	授权
2021-03-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/00 申请日:20050330 授权公告日:20090826 终止日期:20200330

共 50 条

[1]

半导体激光芯片及半导体激光装置 [P].

方瑞禹 .

中国专利 :CN106785914A ,2017-05-31

[2]

半导体激光装置 [P].

田尻浩之 ;

酒井贤司 ;

泉和刚 .

中国专利 :CN112805887A ,2021-05-14

[3]

半导体激光装置 [P].

酒井贤司 ;

泉和刚 .

中国专利 :CN112771738A ,2021-05-07

[4]

半导体激光装置 [P].

田尻浩之 ;

酒井贤司 ;

泉和刚 .

日本专利 :CN112805887B ,2024-05-10

[5]

半导体激光装置 [P].

酒井贤司 ;

泉和刚 .

日本专利 :CN112771738B ,2024-04-12

[6]

半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置 [P].

方瑞禹 .

中国专利 :CN106207753A ,2016-12-07

[7]

半导体激光装置以及半导体激光元件 [P].

小野将之 ;

左文字克哉 ;

西川透 ;

浅香浩 ;

西辻充 ;

山田和弥 .

中国专利 :CN113454857A ,2021-09-28

[8]

半导体激光装置以及半导体激光元件 [P].

小野将之 ;

左文字克哉 ;

西川透 ;

浅香浩 ;

西辻充 ;

山田和弥 .

日本专利 :CN113454857B ,2024-11-01

[9]

半导体激光装置及半导体激光元件 [P].

松本晃广 .

中国专利 :CN1972045A ,2007-05-30

[10]

半导体激光元件和半导体激光装置 [P].

井上大二朗 ;

别所靖之 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN101030696A ,2007-09-05

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