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半导体激光装置以及半导体激光元件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202080015701.6
申请日：
2020-01-23
公开(公告)号：
CN113454857A
公开(公告)日：
2021-09-28
发明(设计)人：
小野将之 左文字克哉 西川透 浅香浩 西辻充 山田和弥
申请人：
申请人地址：
日本京都府
IPC主分类号：
H01S50234
IPC分类号：
H01S540
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
吕文卓
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-09-28 公开 公开
2022-01-18 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/0234 申请日:20200123
共 50 条
[1]
半导体激光装置以及半导体激光元件 [P]. 
小野将之 ;
左文字克哉 ;
西川透 ;
浅香浩 ;
西辻充 ;
山田和弥 .
日本专利 :CN113454857B ,2024-11-01
[2]
半导体激光装置及半导体激光元件 [P]. 
松本晃广 .
中国专利 :CN1972045A ,2007-05-30
[3]
半导体激光元件和半导体激光装置 [P]. 
井上大二朗 ;
别所靖之 ;
畑雅幸 .
中国专利 :CN101030696A ,2007-09-05
[4]
半导体激光元件以及单片二波长半导体激光装置 [P]. 
宫嵜启介 ;
辰巳正毅 .
中国专利 :CN1758494A ,2006-04-12
[5]
半导体激光元件及其制造方法、半导体激光装置 [P]. 
绵谷力 ;
宫下宗治 ;
西田武弘 .
日本专利 :CN114762201B ,2024-12-20
[6]
半导体激光元件及其制造方法、半导体激光装置 [P]. 
绵谷力 ;
宫下宗治 ;
西田武弘 .
中国专利 :CN114762201A ,2022-07-15
[7]
半导体激光元件以及半导体激光元件制造方法 [P]. 
谷口英广 ;
石井宏辰 ;
行谷武 .
中国专利 :CN101796699A ,2010-08-04
[8]
半导体激光器以及半导体激光装置 [P]. 
篠原弘介 .
日本专利 :CN115989620B ,2025-02-25
[9]
半导体激光元件 [P]. 
田中明 ;
小野村正明 .
中国专利 :CN100380696C ,2005-10-12
[10]
半导体激光装置及半导体激光元件的制造方法 [P]. 
永井洋希 ;
久纳康光 ;
山田笃志 ;
中谷东吾 ;
荒木刚 .
日本专利 :CN118575377A ,2024-08-30
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