半导体激光元件和半导体激光装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710092367.0

申请日：

2007-02-28

公开(公告)号：

CN101030696A

公开(公告)日：

2007-09-05

发明(设计)人：

井上大二朗别所靖之畑雅幸

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S500

IPC分类号：

H01S5223

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体激光装置及半导体激光元件 [P].

松本晃广 .

中国专利 :CN1972045A ,2007-05-30

[2]

半导体激光装置以及半导体激光元件 [P].

小野将之 ;

左文字克哉 ;

西川透 ;

浅香浩 ;

西辻充 ;

山田和弥 .

中国专利 :CN113454857A ,2021-09-28

[3]

半导体激光装置以及半导体激光元件 [P].

小野将之 ;

左文字克哉 ;

西川透 ;

浅香浩 ;

西辻充 ;

山田和弥 .

日本专利 :CN113454857B ,2024-11-01

[4]

半导体激光元件及其制造方法、半导体激光装置 [P].

绵谷力 ;

宫下宗治 ;

西田武弘 .

日本专利 :CN114762201B ,2024-12-20

[5]

半导体激光元件及其制造方法、半导体激光装置 [P].

绵谷力 ;

宫下宗治 ;

西田武弘 .

中国专利 :CN114762201A ,2022-07-15

[6]

氮化物半导体激光元件及半导体激光装置 [P].

野口哲宽 ;

谷善彦 ;

谷本佳美 ;

津田有三 .

中国专利 :CN111490455A ,2020-08-04

[7]

半导体激光装置 [P].

鴫原君男 .

中国专利 :CN111095700B ,2020-05-01

[8]

半导体激光装置和半导体激光装置的光电射线偏转元件 [P].

约翰·拉姆钦 ;

安德烈亚斯·弗勒利希 ;

马丁·豪斯哈尔特 ;

扬·马费尔德 ;

马西莫·卡塔尔多·马齐洛 .

中国专利 :CN114008875A ,2022-02-01

[9]

半导体激光装置和半导体激光装置的光电射线偏转元件 [P].

约翰·拉姆钦 ;

安德烈亚斯·弗勒利希 ;

马丁·豪斯哈尔特 ;

扬·马费尔德 ;

马西莫·卡塔尔多·马齐洛 .

德国专利 :CN114008875B ,2024-10-18

[10]

半导体激光元件 [P].

松村拓明 ;

小谷靖长 .

中国专利 :CN1665085A ,2005-09-07

← 1 2 3 4 5 →