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III族氮化物半导体激光器元件、制作III族氮化物半导体激光器元件的方法及外延基板

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201080059063.4
申请日：
2010-11-11
公开(公告)号：
CN102668281B
公开(公告)日：
2012-09-12
发明(设计)人：
善积祐介 盐谷阳平 京野孝史 住友隆道 嵯峨宣弘 足立真宽 住吉和英 德山慎司 高木慎平 池上隆俊 上野昌纪 片山浩二
申请人：
申请人地址：
日本大阪府大阪市
IPC主分类号：
H01S5343
IPC分类号：
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人：
谢丽娜;关兆辉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2012-11-07 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101343310088 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2010800590634 申请日:20101111
2012-09-12 公开 公开
2014-05-28 授权 授权
2017-01-04 专利权的终止 未缴年费专利权终止 号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101695958152 IPC(主分类):H01S 5/343 专利号:ZL2010800590634 申请日:20101111 授权公告日:20140528 终止日期:20151111
共 50 条
[1]
III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 [P]. 
善积祐介 ;
高木慎平 ;
池上隆俊 ;
上野昌纪 ;
片山浩二 .
中国专利 :CN102668279A ,2012-09-12
[2]
III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 [P]. 
高木慎平 ;
善积祐介 ;
片山浩二 ;
上野昌纪 ;
池上隆俊 .
中国专利 :CN102668282B ,2012-09-12
[3]
外延基板及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 [P]. 
善积祐介 ;
盐谷阳平 ;
京野孝史 ;
住友隆道 ;
嵯峨宣弘 ;
足立真宽 ;
住吉和英 ;
德山慎司 ;
高木慎平 ;
池上隆俊 ;
上野昌纪 ;
片山浩二 .
中国专利 :CN103606817A ,2014-02-26
[4]
Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 [P]. 
善积祐介 ;
盐谷阳平 ;
京野孝史 ;
足立真宽 ;
秋田胜史 ;
上野昌纪 ;
住友隆道 ;
德山慎司 ;
片山浩二 ;
中村孝夫 ;
池上隆俊 .
中国专利 :CN101984774B ,2011-03-09
[5]
III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 [P]. 
善积祐介 ;
盐谷阳平 ;
京野孝史 ;
足立真宽 ;
德山慎司 ;
住友隆道 ;
上野昌纪 ;
池上隆俊 ;
片山浩二 ;
中村孝夫 .
中国专利 :CN102549860B ,2012-07-04
[6]
III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 [P]. 
善积祐介 ;
盐谷阳平 ;
京野孝史 ;
足立真宽 ;
德山慎司 ;
住友隆道 ;
上野昌纪 ;
池上隆俊 ;
片山浩二 ;
中村孝夫 .
中国专利 :CN102549859A ,2012-07-04
[7]
III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 [P]. 
善积祐介 ;
盐谷阳平 ;
京野孝史 ;
足立真宽 ;
秋田胜史 ;
上野昌纪 ;
住友隆道 ;
德山慎司 ;
片山浩二 ;
中村孝夫 ;
池上隆俊 .
中国专利 :CN102025104B ,2011-04-20
[8]
III族氮化物半导体激光器元件、III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 [P]. 
高木慎平 ;
善积祐介 ;
片山浩二 ;
上野昌纪 ;
池上隆俊 .
中国专利 :CN102934302A ,2013-02-13
[9]
III族氮化物半导体激光器元件、制作III族氮化物半导体激光器元件的方法及评估因形成刻划槽所致损伤的方法 [P]. 
善积祐介 ;
高木慎平 ;
池上隆俊 ;
上野昌纪 ;
片山浩二 .
中国专利 :CN102696158A ,2012-09-26
[10]
III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 [P]. 
高木慎平 ;
善积祐介 ;
片山浩二 ;
上野昌纪 ;
池上隆俊 .
中国专利 :CN102341977B ,2012-02-01
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