III族氮化物半导体激光器元件、III族氮化物半导体激光器元件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080067314.3

申请日：

2010-12-27

公开(公告)号：

CN102934302A

公开(公告)日：

2013-02-13

发明(设计)人：

高木慎平善积祐介片山浩二上野昌纪池上隆俊

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

谢丽娜;关兆辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-13	公开	公开
2013-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101415530204 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2010800673143 申请日:20101227
2016-03-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101728925087 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2010800673143 申请公布日:20130213

共 50 条

[1]

III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 [P].

善积祐介 ;

高木慎平 ;

池上隆俊 ;

上野昌纪 ;

片山浩二 .

中国专利 :CN102668279A ,2012-09-12

[2]

III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 [P].

高木慎平 ;

善积祐介 ;

片山浩二 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102668282B ,2012-09-12

[3]

III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

足立真宽 ;

德山慎司 ;

住友隆道 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 ;

片山浩二 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102549860B ,2012-07-04

[4]

III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

足立真宽 ;

德山慎司 ;

住友隆道 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 ;

片山浩二 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102549859A ,2012-07-04

[5]

III族氮化物半导体激光器元件、制作III族氮化物半导体激光器元件的方法及外延基板 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

嵯峨宣弘 ;

足立真宽 ;

住吉和英 ;

德山慎司 ;

高木慎平 ;

池上隆俊 ;

上野昌纪 ;

片山浩二 .

中国专利 :CN102668281B ,2012-09-12

[6]

Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

足立真宽 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

住友隆道 ;

德山慎司 ;

片山浩二 ;

中村孝夫 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN101984774B ,2011-03-09

[7]

III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 [P].

高木慎平 ;

善积祐介 ;

片山浩二 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102934301B ,2013-02-13

[8]

III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

足立真宽 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

住友隆道 ;

德山慎司 ;

片山浩二 ;

中村孝夫 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102025104B ,2011-04-20

[9]

一种III族氮化物半导体激光器元件 [P].

郑锦坚 ;

邓和清 ;

寻飞林 ;

刘紫涵 ;

蔡鑫 ;

陈婉君 ;

钟志白 ;

杨力勋 ;

李晓琴 ;

蓝家彬 ;

张江勇 ;

李水清 .

中国专利 :CN120341696A ,2025-07-18

[10]

Ⅲ族氮化物半导体激光器 [P].

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN101682172B ,2010-03-24

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