一种III族氮化物半导体激光器元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510466951.6

申请日：

2025-04-15

公开(公告)号：

CN120341696A

公开(公告)日：

2025-07-18

发明(设计)人：

郑锦坚邓和清寻飞林刘紫涵蔡鑫陈婉君钟志白杨力勋李晓琴蓝家彬张江勇李水清

申请人：

安徽格恩半导体有限公司

申请人地址：

237000 安徽省六安市金安区巢湖路288号

IPC主分类号：

H01S5/323

IPC分类号：

H01S5/343 H01S5/34

代理机构：

六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139

代理人：

武光勇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省六安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/323申请日:20250415
2025-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

III族氮化物半导体激光器元件、III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 [P].

高木慎平 ;

善积祐介 ;

片山浩二 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102934302A ,2013-02-13

[2]

III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 [P].

善积祐介 ;

高木慎平 ;

池上隆俊 ;

上野昌纪 ;

片山浩二 .

中国专利 :CN102668279A ,2012-09-12

[3]

III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 [P].

高木慎平 ;

善积祐介 ;

片山浩二 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102668282B ,2012-09-12

[4]

一种III族氮化物半导体激光器 [P].

郑锦坚 ;

寻飞林 ;

邓和清 ;

陈婉君 ;

蓝家彬 ;

钟志白 ;

杨力勋 ;

张江勇 ;

李晓琴 ;

刘紫涵 ;

曹军 ;

胡志勇 ;

李水清 .

中国专利 :CN120674914A ,2025-09-19

[5]

III族氮化物半导体激光器元件、制作III族氮化物半导体激光器元件的方法及外延基板 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

嵯峨宣弘 ;

足立真宽 ;

住吉和英 ;

德山慎司 ;

高木慎平 ;

池上隆俊 ;

上野昌纪 ;

片山浩二 .

中国专利 :CN102668281B ,2012-09-12

[6]

III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

足立真宽 ;

德山慎司 ;

住友隆道 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 ;

片山浩二 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102549860B ,2012-07-04

[7]

III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

足立真宽 ;

德山慎司 ;

住友隆道 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 ;

片山浩二 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102549859A ,2012-07-04

[8]

Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

足立真宽 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

住友隆道 ;

德山慎司 ;

片山浩二 ;

中村孝夫 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN101984774B ,2011-03-09

[9]

Ⅲ族氮化物半导体激光器 [P].

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN101682172B ,2010-03-24

[10]

Ⅲ族氮化物半导体激光器 [P].

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN102097747B ,2011-06-15

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