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等离子体增强化学气相沉积设备
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201721629939.X
申请日
:
2017-11-29
公开(公告)号
:
CN207713814U
公开(公告)日
:
2018-08-10
发明(设计)人
:
胡冬冬
申请人
:
申请人地址
:
221300 江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号
IPC主分类号
:
C23C1650
IPC分类号
:
C23C1652
代理机构
:
北京得信知识产权代理有限公司 11511
代理人
:
袁伟东;袁建水
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-08-10
授权
授权
共 50 条
[1]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
姜杉
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姜杉
;
李建东
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李建东
;
杨志永
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杨志永
.
中国专利
:CN201587981U
,2010-09-22
[2]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
吴斌
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0
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机构:
通威太阳能(金堂)有限公司
通威太阳能(金堂)有限公司
吴斌
.
中国专利
:CN222935510U
,2025-06-03
[3]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
左凯峰
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左凯峰
;
季徐华
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季徐华
;
王根江
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王根江
.
中国专利
:CN201560236U
,2010-08-25
[4]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
张金中
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张金中
.
中国专利
:CN202246858U
,2012-05-30
[5]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
陈有生
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机构:
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
陈有生
;
张印奇
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机构:
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
张印奇
;
刘传生
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机构:
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
刘传生
;
董家伟
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机构:
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
董家伟
.
中国专利
:CN222499365U
,2025-02-18
[6]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
欧阳亮
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机构:
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
欧阳亮
.
中国专利
:CN120231033A
,2025-07-01
[7]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
洪性喆
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洪性喆
;
李万镐
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李万镐
.
中国专利
:CN104769156A
,2015-07-08
[8]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
刘红义
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刘红义
.
中国专利
:CN102534568A
,2012-07-04
[9]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
郑友山
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郑友山
;
杨斌
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杨斌
.
中国专利
:CN103866281A
,2014-06-18
[10]
等离子体增强化学气相沉积装置
[P].
苏同上
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苏同上
;
王东方
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王东方
;
杜生平
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杜生平
;
袁广才
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袁广才
.
中国专利
:CN205556778U
,2016-09-07
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