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等离子体增强化学气相沉积设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311846891.8
申请日
:
2023-12-29
公开(公告)号
:
CN120231033A
公开(公告)日
:
2025-07-01
发明(设计)人
:
欧阳亮
申请人
:
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
申请人地址
:
201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄3号厂房
IPC主分类号
:
C23C16/509
IPC分类号
:
C23C16/52
C23C16/455
H01J37/32
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
浙江省 衢州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-07-18
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/509申请日:20231229
2025-07-01
公开
公开
共 50 条
[1]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
张金中
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张金中
.
中国专利
:CN202246858U
,2012-05-30
[2]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
洪性喆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
洪性喆
;
李万镐
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李万镐
.
中国专利
:CN104769156A
,2015-07-08
[3]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
刘红义
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘红义
.
中国专利
:CN102534568A
,2012-07-04
[4]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
郑友山
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郑友山
;
杨斌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨斌
.
中国专利
:CN103866281A
,2014-06-18
[5]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
陈有生
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
陈有生
;
张印奇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
张印奇
;
刘传生
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
刘传生
;
董家伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
董家伟
.
中国专利
:CN222499365U
,2025-02-18
[6]
等离子体增强化学气相沉积装置
[P].
陈金元
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈金元
;
刘传生
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘传生
.
中国专利
:CN101974738A
,2011-02-16
[7]
等离子体增强化学气相沉积装置
[P].
刘凤举
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘凤举
.
中国专利
:CN106245005A
,2016-12-21
[8]
等离子体增强化学气相沉积装置
[P].
姜宇锡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
姜宇锡
.
中国专利
:CN213142185U
,2021-05-07
[9]
等离子体增强化学气相沉积装置
[P].
陈金元
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈金元
;
马哲国
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
马哲国
;
董家伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
董家伟
;
刘传生
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘传生
;
杨飞云
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨飞云
.
中国专利
:CN101974739A
,2011-02-16
[10]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
姜杉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
姜杉
;
李建东
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李建东
;
杨志永
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨志永
.
中国专利
:CN201587981U
,2010-09-22
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