等离子体增强化学气相沉积设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311846891.8
申请日
2023-12-29
公开(公告)号
CN120231033A
公开(公告)日
2025-07-01
发明(设计)人
欧阳亮
申请人
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
申请人地址
201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄3号厂房
IPC主分类号
C23C16/509
IPC分类号
C23C16/52 C23C16/455 H01J37/32
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
国省代码
浙江省 衢州市
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共 50 条
[1]
等离子体增强化学气相沉积设备 [P]. 
张金中 .
中国专利 :CN202246858U ,2012-05-30
[2]
等离子体增强化学气相沉积设备 [P]. 
洪性喆 ;
李万镐 .
中国专利 :CN104769156A ,2015-07-08
[3]
等离子体增强化学气相沉积设备 [P]. 
刘红义 .
中国专利 :CN102534568A ,2012-07-04
[4]
等离子体增强化学气相沉积设备 [P]. 
郑友山 ;
杨斌 .
中国专利 :CN103866281A ,2014-06-18
[5]
等离子体增强化学气相沉积设备 [P]. 
陈有生 ;
张印奇 ;
刘传生 ;
董家伟 .
中国专利 :CN222499365U ,2025-02-18
[6]
等离子体增强化学气相沉积装置 [P]. 
陈金元 ;
刘传生 .
中国专利 :CN101974738A ,2011-02-16
[7]
等离子体增强化学气相沉积装置 [P]. 
刘凤举 .
中国专利 :CN106245005A ,2016-12-21
[8]
等离子体增强化学气相沉积装置 [P]. 
姜宇锡 .
中国专利 :CN213142185U ,2021-05-07
[9]
等离子体增强化学气相沉积装置 [P]. 
陈金元 ;
马哲国 ;
董家伟 ;
刘传生 ;
杨飞云 .
中国专利 :CN101974739A ,2011-02-16
[10]
等离子体增强化学气相沉积设备 [P]. 
姜杉 ;
李建东 ;
杨志永 .
中国专利 :CN201587981U ,2010-09-22