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等离子体增强化学气相沉积装置
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202022674599.0
申请日
:
2020-11-18
公开(公告)号
:
CN213142185U
公开(公告)日
:
2021-05-07
发明(设计)人
:
姜宇锡
申请人
:
申请人地址
:
510530 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城开泰大道59号
IPC主分类号
:
C23C1650
IPC分类号
:
代理机构
:
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
:
胡彬
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-05-07
授权
授权
共 50 条
[1]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
张金中
论文数:
0
引用数:
0
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0
张金中
.
中国专利
:CN202246858U
,2012-05-30
[2]
等离子体增强化学气相沉积装置
[P].
陈金元
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陈金元
;
刘传生
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刘传生
.
中国专利
:CN101974738A
,2011-02-16
[3]
等离子体增强化学气相沉积装置
[P].
刘凤举
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0
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0
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0
刘凤举
.
中国专利
:CN106245005A
,2016-12-21
[4]
等离子体增强化学气相沉积装置
[P].
陈金元
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陈金元
;
马哲国
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马哲国
;
董家伟
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董家伟
;
刘传生
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刘传生
;
杨飞云
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杨飞云
.
中国专利
:CN101974739A
,2011-02-16
[5]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
欧阳亮
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机构:
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
欧阳亮
.
中国专利
:CN120231033A
,2025-07-01
[6]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
陈有生
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机构:
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
陈有生
;
张印奇
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机构:
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
张印奇
;
刘传生
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机构:
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
刘传生
;
董家伟
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机构:
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
董家伟
.
中国专利
:CN222499365U
,2025-02-18
[7]
等离子体增强化学气相沉积装置
[P].
韦刚
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0
韦刚
.
中国专利
:CN101880867A
,2010-11-10
[8]
等离子体增强化学气相沉积装置
[P].
苏同上
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苏同上
;
王东方
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王东方
;
杜生平
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杜生平
;
袁广才
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袁广才
.
中国专利
:CN205556778U
,2016-09-07
[9]
等离子体增强化学气相沉积装置
[P].
何怀亮
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0
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何怀亮
.
中国专利
:CN207918951U
,2018-09-28
[10]
等离子体增强化学气相沉积设备
[P].
姜杉
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姜杉
;
李建东
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李建东
;
杨志永
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杨志永
.
中国专利
:CN201587981U
,2010-09-22
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