在玻璃基板上沉积TiN薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610053270.4

申请日：

2006-09-05

公开(公告)号：

CN1915879A

公开(公告)日：

2007-02-21

发明(设计)人：

赵高凌张天播郑鹏飞韩高荣

申请人：

申请人地址：

310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

C03C1722

IPC分类号：

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

韩介梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-02-21	公开	公开
2010-02-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

在玻璃基板上沉积TiN薄膜的方法 [P].

赵高凌 ;

张天播 ;

郑鹏飞 ;

韩高荣 .

中国专利 :CN1887757A ,2007-01-03

[2]

一种在玻璃基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜的方法 [P].

杜丕一 ;

张翼英 ;

翁文剑 ;

韩高荣 ;

赵高凌 ;

汪建勋 ;

宋晨路 ;

沈鸽 ;

徐刚 ;

张溪文 .

中国专利 :CN1944308B ,2007-04-11

[3]

在玻璃基板上镀膜的方法 [P].

刘国儒 ;

郭大豪 ;

郑耀璿 ;

黄致开 ;

易锦良 .

中国专利 :CN120048741A ,2025-05-27

[4]

在玻璃基板上形成氧化硅涂层的方法 [P].

D·M·内尔森 .

中国专利 :CN103946173B ,2014-07-23

[5]

一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的装置 [P].

彭寿 ;

夏申江 ;

屠友明 ;

王芸 .

中国专利 :CN204251691U ,2015-04-08

[6]

在玻璃基板上沉积二氧化硅涂层的化学气相沉积工艺 [P].

D·M·内尔森 ;

M·M·拉德特克 ;

S·E·菲利普斯 .

中国专利 :CN104136656B ,2014-11-05

[7]

一种在玻璃基板上沉积致密钛酸锶钡薄膜的方法 [P].

谈国强 ;

韩伟光 ;

程蕾 .

中国专利 :CN102534610A ,2012-07-04

[8]

一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的方法和装置 [P].

彭寿 ;

夏申江 ;

屠友明 ;

王芸 .

中国专利 :CN104451552A ,2015-03-25

[9]

一种在玻璃基底上沉积二氧化硅薄膜的方法 [P].

吕斌 ;

李文杰 ;

朱恒伟 ;

吕建国 .

中国专利 :CN104561928A ,2015-04-29

[10]

玻璃基板上的薄膜形成方法以及薄膜被覆玻璃基板 [P].

尾花茂树 ;

田中启介 ;

田中博一 ;

辻本光 ;

田丸博 ;

高滨孝一 .

中国专利 :CN1732134A ,2006-02-08

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