一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的方法和装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410655071.5

申请日：

2014-11-17

公开(公告)号：

CN104451552A

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

彭寿夏申江屠友明王芸

申请人：

申请人地址：

215434 江苏省苏州市太仓市港口开发区长江路189号

IPC主分类号：

C23C1424

IPC分类号：

C03C1722

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

马明渡;徐丹

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-12	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 14/24 申请公布日:20150325
2015-03-25	公开	公开
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607348923 IPC(主分类):C23C 14/24 专利申请号:2014106550715 申请日:20141117

共 50 条

[1]

一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的装置 [P].

彭寿 ;

夏申江 ;

屠友明 ;

王芸 .

中国专利 :CN204251691U ,2015-04-08

[2]

一种采用近空间升华技术在衬底沉积形成半导体薄膜的方法和装置 [P].

夏申江 .

中国专利 :CN101525743B ,2009-09-09

[3]

在玻璃基板上沉积TiN薄膜的方法 [P].

赵高凌 ;

张天播 ;

郑鹏飞 ;

韩高荣 .

中国专利 :CN1915879A ,2007-02-21

[4]

在玻璃基板上沉积TiN薄膜的方法 [P].

赵高凌 ;

张天播 ;

郑鹏飞 ;

韩高荣 .

中国专利 :CN1887757A ,2007-01-03

[5]

在半导体基板上形成电介质薄膜的方法 [P].

A·S·凯勒 ;

M·D·怀特曼 .

中国专利 :CN1244140C ,2003-10-15

[6]

半导体薄膜的形成方法和半导体薄膜的形成装置 [P].

松村正清 ;

西谷幹彥 ;

木村嘉伸 ;

十文字正之 ;

谷口幸夫 ;

平松雅人 ;

中野文樹 .

中国专利 :CN100442440C ,2003-09-10

[7]

在柔性衬底上沉积半导体薄膜用装置 [P].

李微 ;

李巍 ;

赵彦民 ;

冯金辉 ;

杨立 ;

乔在祥 ;

刘兴江 .

中国专利 :CN102477550B ,2012-05-30

[8]

形成半导体薄膜的方法和制造薄膜半导体器件的方法 [P].

大江贵裕 ;

君岛美树 .

中国专利 :CN101903993B ,2010-12-01

[9]

使用超临界溶剂在半导体基板上形成和沉积金属薄膜的组合物和方法 [P].

马克伊安·瓦格纳 .

中国专利 :CN101595243A ,2009-12-02

[10]

形成半导体薄膜的方法和半导体薄膜检测装置 [P].

梅津畅彦 ;

稻垣敬夫 .

中国专利 :CN101800168B ,2010-08-11

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