使用超临界溶剂在半导体基板上形成和沉积金属薄膜的组合物和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880003649.1

申请日：

2008-01-28

公开(公告)号：

CN101595243A

公开(公告)日：

2009-12-02

发明(设计)人：

马克伊安·瓦格纳

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C1618

IPC分类号：

C23C1414 H01L21285

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

余刚;吴孟秋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-02	公开	公开
2014-09-24	授权	授权
2010-01-27	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

使用超临界溶剂在半导体基片上形成金属膜的组合物和方法 [P].

马克·伊安·瓦格纳 .

中国专利 :CN101622376A ,2010-01-06

[2]

在半导体基板上形成电介质薄膜的方法 [P].

A·S·凯勒 ;

M·D·怀特曼 .

中国专利 :CN1244140C ,2003-10-15

[3]

半导体基板清洗用组合物和使用其的半导体基板的制造方法 [P].

尾家俊行 .

日本专利 :CN119585847A ,2025-03-07

[4]

沉积金属薄膜的方法和包括超临界干燥/清洁组件的金属沉积组合工具 [P].

M·A·比伯格尔 ;

P·E·施林 .

中国专利 :CN1425194A ,2003-06-18

[5]

一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的方法和装置 [P].

彭寿 ;

夏申江 ;

屠友明 ;

王芸 .

中国专利 :CN104451552A ,2015-03-25

[6]

在半导体基板上的层的形成 [P].

M.克尔曼 ;

Z.贾 ;

S.纳格 ;

R.迪蒂兹奥 .

中国专利 :CN109155240A ,2019-01-04

[7]

半导体基板的制造方法和半导体基板 [P].

黄杰 ;

宁策 ;

李正亮 ;

胡合合 ;

贺家煜 ;

姚念琦 ;

赵坤 ;

曲峰 ;

许晓春 .

中国专利 :CN113838801A ,2021-12-24

[8]

半导体基板的制造方法和半导体基板 [P].

黄杰 ;

宁策 ;

李正亮 ;

胡合合 ;

贺家煜 ;

姚念琦 ;

赵坤 ;

曲峰 ;

许晓春 .

中国专利 :CN113838801B ,2024-10-22

[9]

在半导体基板上制造多晶体半导体电阻的系统和方法 [P].

史中海 ;

文斯·蒂姆斯 ;

田洪 .

中国专利 :CN105023878A ,2015-11-04

[10]

材料在半导体基片上的超临界流体辅助沉积 [P].

许从应 ;

托马斯·H·包姆 ;

米凯尔·B·科岑斯基 .

中国专利 :CN101124676A ,2008-02-13

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