光学活性氟胺类的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980110248.0

申请日：

2009-01-27

公开(公告)号：

CN101977890A

公开(公告)日：

2011-02-16

发明(设计)人：

石井章央山崎贵子安本学

申请人：

申请人地址：

日本山口县

IPC主分类号：

C07C24902

IPC分类号：

C07C20962 C07C21115 C07C25124 C07B6100

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-16	公开	公开
2014-01-01	授权	授权
2023-01-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C07C 249/02 申请日:20090127 授权公告日:20140101 终止日期:20220127
2011-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101061117568 IPC(主分类):C07C 249/02 专利申请号:2009801102480 申请日:20090127

共 50 条

[1]

制备光学活性胺类的方法 [P].

U·斯特泽尔 .

中国专利 :CN1220702A ,1999-06-23

[2]

氟代胺类的制造方法 [P].

石井章央 ;

鹤田英之 ;

名仓裕力 ;

浊川泰子 .

中国专利 :CN103328439B ,2013-09-25

[3]

光学活性化合物的制造方法 [P].

松井浩三 ;

池本哲哉 .

中国专利 :CN102471266A ,2012-05-23

[4]

光学活性醇的制造方法 [P].

井上勉 ;

佐藤大祐 .

中国专利 :CN101039891B ,2007-09-19

[5]

光学活性α-氟代羧酸酯衍生物的制造方法 [P].

石井章央 ;

鹤田英之 ;

大塚隆史 ;

栗山克 ;

安本学 ;

伊野宫宪人 ;

植田浩司 .

中国专利 :CN1976891B ,2007-06-06

[6]

光学活性的羟腈化合物的制造方法 [P].

中泽公一 .

中国专利 :CN102007095A ,2011-04-06

[7]

光学活性α－羟基羧酸的制造方法 [P].

坂本惠司 ;

北伸二 ;

森井亮博 .

中国专利 :CN101253271A ,2008-08-27

[8]

用于制备光学活性胺的方法 [P].

克里斯托夫·马克 .

中国专利 :CN101489983A ,2009-07-22

[9]

光学活性α-氟代羧酸酯的精制方法 [P].

石井章央 ;

鹤田英之 ;

森野让 ;

高桥干弘 .

中国专利 :CN101778813A ,2010-07-14

[10]

光学活性1－芳基－2－氟取代乙胺类及其制造方法 [P].

石井章央 ;

金井正富 ;

栗山克 ;

安本学 ;

伊野宫宪人 ;

大塚隆史 ;

须藤胜秀 ;

植田浩司 .

中国专利 :CN1930115A ,2007-03-14

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