氧化铪单晶光纤及其制备方法与应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810478832.2
申请日
2018-05-18
公开(公告)号
CN108330540B
公开(公告)日
2018-07-27
发明(设计)人
贾志泰 陶绪堂 王涛 张健
申请人
申请人地址
250199 山东省济南市历城区山大南路27号
IPC主分类号
C30B2916
IPC分类号
C30B1500 C30B3302
代理机构
济南金迪知识产权代理有限公司 37219
代理人
杨磊
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
氧化锆单晶光纤及其制备方法与应用 [P]. 
贾志泰 ;
王涛 ;
张健 ;
陶绪堂 .
中国专利 :CN107557862A ,2018-01-09
[2]
倍半氧化物单晶光纤及其制备方法与应用 [P]. 
贾志泰 ;
陶绪堂 ;
张娜 ;
张健 .
中国专利 :CN108977882A ,2018-12-11
[3]
激活离子掺杂的ABAlO4单晶光纤及其制备方法与应用 [P]. 
贾志泰 ;
陶绪堂 ;
张娜 ;
张健 .
中国专利 :CN110158150A ,2019-08-23
[4]
氧化铪铁电相单晶及其制备方法 [P]. 
周益春 ;
阳江衡 ;
廖敏 ;
廖佳佳 ;
曾斌建 .
中国专利 :CN114959896B ,2024-03-26
[5]
稀土掺杂(LuaScbYc)2O3(a+b+c=1)单晶光纤及其制备方法与应用 [P]. 
贾志泰 ;
张娜 ;
陶绪堂 ;
张健 ;
尹雨晴 ;
王涛 .
中国专利 :CN112281213A ,2021-01-29
[6]
一种多苯基鏻单晶光纤及其制备方法与应用 [P]. 
任燕 ;
高泽玉 ;
张承乾 .
中国专利 :CN112080803A ,2020-12-15
[7]
一种铪酸钡单晶及其制备方法、应用 [P]. 
孙宇 ;
朱佳龙 ;
谭丹 ;
范超凡 ;
彭修未 ;
杨丽 ;
周益春 .
中国专利 :CN120537040A ,2025-08-26
[8]
一种梯度掺杂离子的激光单晶光纤及其制备方法 [P]. 
陈言 ;
丁雨憧 ;
李海林 ;
刘军 .
中国专利 :CN120099620A ,2025-06-06
[9]
高纯氧化铪及其制备方法 [P]. 
邱叶红 ;
廖新艳 ;
孟云娟 ;
殷亮 .
中国专利 :CN119706928A ,2025-03-28
[10]
单晶光纤包层及其制备方法 [P]. 
王泽锋 ;
马晓斐 ;
朱祥飞 ;
高晨心 ;
黄震 ;
石东冉 ;
曾佳佳 ;
阮勇 .
中国专利 :CN120703901A ,2025-09-26