倍半氧化物单晶光纤及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811013008.6

申请日：

2018-08-31

公开(公告)号：

CN108977882A

公开(公告)日：

2018-12-11

发明(设计)人：

贾志泰陶绪堂张娜张健

申请人：

申请人地址：

250199 山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

C30B2916

IPC分类号：

C30B1500 C30B3302 G01K1132

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司 37219

代理人：

杨磊

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-12	授权	授权
2018-12-11	公开	公开
2019-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/16 申请日:20180831

共 50 条

[1]

一种制备倍半氧化物单晶光纤包层方法 [P].

杨克建 ;

张百涛 ;

梁洋洋 .

中国专利 :CN115182044B ,2024-08-06

[2]

氧化铪单晶光纤及其制备方法与应用 [P].

贾志泰 ;

陶绪堂 ;

王涛 ;

张健 .

中国专利 :CN108330540B ,2018-07-27

[3]

氧化锆单晶光纤及其制备方法与应用 [P].

贾志泰 ;

王涛 ;

张健 ;

陶绪堂 .

中国专利 :CN107557862A ,2018-01-09

[4]

单晶立方倍半氧化物的制备方法及其用途 [P].

P·韦贝尔 ;

V·贝拉斯克斯 ;

J-P·沙米纳德 ;

O·维拉潘蓬 .

中国专利 :CN102791910B ,2012-11-21

[5]

单晶立方倍半氧化物的制备方法和用途 [P].

P·维贝 ;

M·维拉兹盖兹 ;

O·维拉蓬 ;

G·布斯 .

中国专利 :CN105408530A ,2016-03-16

[6]

一种中红外铥钬共掺倍半氧化物激光单晶光纤及其制备方法和应用 [P].

张会丽 ;

孙敦陆 ;

罗建乔 ;

方忠庆 ;

赵绪尧 ;

权聪 ;

胡伦珍 ;

韩志远 ;

程毛杰 ;

殷绍唐 .

中国专利 :CN110468452A ,2019-11-19

[7]

稀土掺杂(LuaScbYc)2O3(a+b+c=1）单晶光纤及其制备方法与应用 [P].

贾志泰 ;

张娜 ;

陶绪堂 ;

张健 ;

尹雨晴 ;

王涛 .

中国专利 :CN112281213A ,2021-01-29

[8]

稀土倍半氧化物纳米带及其制备方法 [P].

王进贤 ;

董相廷 ;

于长娟 ;

刘桂霞 ;

于文生 .

中国专利 :CN101786595A ,2010-07-28

[9]

激活离子掺杂的ABAlO4单晶光纤及其制备方法与应用 [P].

贾志泰 ;

陶绪堂 ;

张娜 ;

张健 .

中国专利 :CN110158150A ,2019-08-23

[10]

一种倍半氧化物复合激光陶瓷及其制备方法 [P].

范金太 ;

沈方樑 ;

孙炳恒 ;

张龙 ;

李恺 .

中国专利 :CN119822828A ,2025-04-15

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