单晶立方倍半氧化物的制备方法和用途

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480041373.1

申请日：

2014-07-23

公开(公告)号：

CN105408530A

公开(公告)日：

2016-03-16

发明(设计)人：

P·维贝 M·维拉兹盖兹 O·维拉蓬 G·布斯

申请人：

申请人地址：

法国巴黎

IPC主分类号：

C30B2916

IPC分类号：

G02F109 G02B2728 C30B904

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

李颖;林柏楠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-16	公开	公开
2016-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101655088062 IPC(主分类):C30B 29/16 专利申请号:2014800413731 申请日:20140723
2018-06-15	授权	授权

共 50 条

[1]

单晶立方倍半氧化物的制备方法及其用途 [P].

P·韦贝尔 ;

V·贝拉斯克斯 ;

J-P·沙米纳德 ;

O·维拉潘蓬 .

中国专利 :CN102791910B ,2012-11-21

[2]

倍半氧化物单晶光纤及其制备方法与应用 [P].

贾志泰 ;

陶绪堂 ;

张娜 ;

张健 .

中国专利 :CN108977882A ,2018-12-11

[3]

一种制备倍半氧化物单晶光纤包层方法 [P].

杨克建 ;

张百涛 ;

梁洋洋 .

中国专利 :CN115182044B ,2024-08-06

[4]

制造透明倍半氧化物烧结体的方法及通过该方法制造的透明倍半氧化物烧结体 [P].

碇真宪 ;

野岛义弘 ;

牧川新二 ;

池末明生 .

中国专利 :CN103708839A ,2014-04-09

[5]

镧锆共掺稀土倍半氧化物透明陶瓷及其制备方法 [P].

易庆 ;

周圣明 ;

林辉 ;

侯肖瑞 ;

滕浩 .

中国专利 :CN102167587A ,2011-08-31

[6]

一种倍半氧化物陶瓷制备方法 [P].

范金太 ;

郝好莹 ;

姜本学 ;

张龙 .

中国专利 :CN117088680B ,2025-05-13

[7]

稀土倍半氧化物纳米带及其制备方法 [P].

王进贤 ;

董相廷 ;

于长娟 ;

刘桂霞 ;

于文生 .

中国专利 :CN101786595A ,2010-07-28

[8]

一种倍半氧化物窗口材料的制备方法 [P].

刘孟寅 ;

张荣实 ;

王跃忠 ;

张高峰 ;

李霄鹏 ;

张彤 ;

刘华松 .

中国专利 :CN110937898B ,2020-03-31

[9]

一种倍半氧化物抑制剂及其制备方法与用途 [P].

刘养春 ;

朱孔金 ;

刘星强 ;

刘云涛 ;

徐会会 ;

单连勇 .

中国专利 :CN109954588B ,2019-07-02

[10]

一种倍半氧化物透明陶瓷及其制备方法 [P].

姜本学 ;

沈方樑 ;

范金太 ;

冯涛 ;

张龙 ;

孙炳恒 .

中国专利 :CN115557787A ,2023-01-03

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