制造透明倍半氧化物烧结体的方法及通过该方法制造的透明倍半氧化物烧结体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310460141.7

申请日：

2013-09-30

公开(公告)号：

CN103708839A

公开(公告)日：

2014-04-09

发明(设计)人：

碇真宪野岛义弘牧川新二池末明生

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C04B3550

IPC分类号：

C04B35505 C04B35622

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

李英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-09	公开	公开
2015-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101627404822 IPC(主分类):C04B 35/50 专利申请号:2013104601417 申请日:20130930
2018-05-08	授权	授权

共 50 条

[1]

透明氧化物膜、透明氧化物膜的制造方法、氧化物烧结体和透明树脂基板 [P].

下山田卓矢 ;

桑原正和 ;

仁藤茂生 .

中国专利 :CN111836912A ,2020-10-27

[2]

氧化物烧结体、靶电极、氧化物透明电极的制造方法以及氧化物透明导电膜 [P].

阿部能之 ;

中山德行 ;

小原刚 ;

和气理一郎 .

中国专利 :CN102543250A ,2012-07-04

[3]

氧化物烧结体及氧化物透明导电膜 [P].

秋池良 ;

土田裕也 ;

仓持豪人 .

中国专利 :CN108698932B ,2018-10-23

[4]

透明导电膜制造用的氧化物烧结体 [P].

生泽正克 ;

矢作政隆 .

中国专利 :CN102171160A ,2011-08-31

[5]

透明导电膜制造用的氧化物烧结体 [P].

生泽正克 ;

矢作政隆 .

中国专利 :CN102171159A ,2011-08-31

[6]

氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶 [P].

笘井重和 ;

井上一吉 ;

江端一晃 ;

柴田雅敏 ;

宇都野太 ;

霍间勇辉 ;

石原悠 .

中国专利 :CN115340360A ,2022-11-15

[7]

氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶 [P].

笘井重和 ;

井上一吉 ;

江端一晃 ;

柴田雅敏 ;

宇都野太 ;

霍间勇辉 ;

石原悠 .

中国专利 :CN105873881A ,2016-08-17

[8]

复合氧化物烧结体及氧化物透明导电膜 [P].

仓持豪人 ;

玉野公章 ;

秋池良 ;

饭草仁志 .

中国专利 :CN104520467A ,2015-04-15

[9]

氧化物电解质烧结体和该氧化物电解质烧结体的制造方法 [P].

矢田千宏 ;

太田慎吾 .

中国专利 :CN107437633B ,2017-12-05

[10]

氧化物烧结体、包含该烧结体的溅射靶、该烧结体的制造方法及该烧结体溅射靶的制造方法 [P].

佐藤和幸 ;

小井土由将 .

中国专利 :CN102089256A ,2011-06-08

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