氧化物烧结体、包含该烧结体的溅射靶、该烧结体的制造方法及该烧结体溅射靶的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200980126562.8
申请日
2009-06-23
公开(公告)号
CN102089256A
公开(公告)日
2011-06-08
发明(设计)人
佐藤和幸 小井土由将
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
C04B3500
IPC分类号
C04B3550 C23C1434
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
王海川;穆德骏
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
氧化镧基烧结体、包含该烧结体的溅射靶、氧化镧基烧结体的制造方法及通过该制造方法制造溅射靶的方法 [P]. 
佐藤和幸 ;
小井土由将 .
中国专利 :CN102089258A ,2011-06-08
[2]
氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶 [P]. 
笘井重和 ;
井上一吉 ;
江端一晃 ;
柴田雅敏 ;
宇都野太 ;
霍间勇辉 ;
石原悠 .
中国专利 :CN115340360A ,2022-11-15
[3]
氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶 [P]. 
笘井重和 ;
井上一吉 ;
江端一晃 ;
柴田雅敏 ;
宇都野太 ;
霍间勇辉 ;
石原悠 .
中国专利 :CN105873881A ,2016-08-17
[4]
氧化物烧结体和包含该氧化物烧结体的溅射靶 [P]. 
山口洋平 ;
栗原敏也 ;
角田浩二 .
中国专利 :CN107428616A ,2017-12-01
[5]
氧化物烧结体和包含该氧化物烧结体的溅射靶 [P]. 
角田浩二 ;
长田幸三 .
中国专利 :CN105209405B ,2015-12-30
[6]
氧化物烧结体以及包含该氧化物烧结体的溅射靶 [P]. 
山口洋平 ;
角田浩二 .
中国专利 :CN107428617A ,2017-12-01
[7]
烧结体和包含该烧结体的溅射靶以及使用该溅射靶形成的薄膜 [P]. 
奈良淳史 .
中国专利 :CN107012435B ,2017-08-04
[8]
烧结体、溅射靶及烧结体的制造方法 [P]. 
秀岛正章 ;
角田浩二 .
中国专利 :CN110937891A ,2020-03-31
[9]
氧化物烧结体、溅射靶及溅射靶的制造方法 [P]. 
海上晓 .
中国专利 :CN113423860A ,2021-09-21
[10]
氧化物烧结体、溅射靶以及溅射靶的制造方法 [P]. 
海上晓 .
中国专利 :CN113677821A ,2021-11-19