氧化镧基烧结体、包含该烧结体的溅射靶、氧化镧基烧结体的制造方法及通过该制造方法制造溅射靶的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200980126610.3
申请日
2009-06-23
公开(公告)号
CN102089258A
公开(公告)日
2011-06-08
发明(设计)人
佐藤和幸 小井土由将
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
C04B3550
IPC分类号
C04B3500 C23C1434
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
王海川;穆德骏
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
氧化物烧结体、包含该烧结体的溅射靶、该烧结体的制造方法及该烧结体溅射靶的制造方法 [P]. 
佐藤和幸 ;
小井土由将 .
中国专利 :CN102089256A ,2011-06-08
[2]
氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶 [P]. 
笘井重和 ;
井上一吉 ;
江端一晃 ;
柴田雅敏 ;
宇都野太 ;
霍间勇辉 ;
石原悠 .
中国专利 :CN115340360A ,2022-11-15
[3]
氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶 [P]. 
笘井重和 ;
井上一吉 ;
江端一晃 ;
柴田雅敏 ;
宇都野太 ;
霍间勇辉 ;
石原悠 .
中国专利 :CN105873881A ,2016-08-17
[4]
烧结体、溅射靶及烧结体的制造方法 [P]. 
秀岛正章 ;
角田浩二 .
中国专利 :CN110937891A ,2020-03-31
[5]
氧化物烧结体、溅射靶及溅射靶的制造方法 [P]. 
海上晓 .
中国专利 :CN113423860A ,2021-09-21
[6]
氧化物烧结体、溅射靶以及溅射靶的制造方法 [P]. 
海上晓 .
中国专利 :CN113677821A ,2021-11-19
[7]
烧结体的制造方法及溅射靶的制造方法 [P]. 
田尾幸树 .
中国专利 :CN113649570A ,2021-11-16
[8]
烧结体、溅射靶及其制造方法 [P]. 
挂野崇 ;
梶山纯 .
中国专利 :CN107779821B ,2018-03-09
[9]
溅射靶及氧化物烧结体的制造方法 [P]. 
高桥诚一郎 ;
宫下德彦 .
中国专利 :CN101316944A ,2008-12-03
[10]
氧化物烧结体溅射靶及其制造方法 [P]. 
高桥一寿 ;
日高浩二 ;
川越裕 ;
武末健太郎 ;
和田优 ;
上野充 ;
清田淳也 ;
小林大士 ;
武井应树 .
中国专利 :CN108350564A ,2018-07-31