氧化物烧结体以及包含该氧化物烧结体的溅射靶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680016776.X

申请日：

2016-02-19

公开(公告)号：

CN107428617A

公开(公告)日：

2017-12-01

发明(设计)人：

山口洋平角田浩二

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C04B3500

IPC分类号：

C23C1434

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

胡嵩麟;王海川

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/00 申请日:20160219
2020-11-03	授权	授权
2017-12-01	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化物烧结体和包含该氧化物烧结体的溅射靶 [P].

山口洋平 ;

栗原敏也 ;

角田浩二 .

中国专利 :CN107428616A ,2017-12-01

[2]

氧化物烧结体和包含该氧化物烧结体的溅射靶 [P].

角田浩二 ;

长田幸三 .

中国专利 :CN105209405B ,2015-12-30

[3]

氧化物烧结体以及溅射靶 [P].

井上一吉 ;

笘井重和 ;

柴田雅敏 ;

竹岛基浩 .

中国专利 :CN109311756B ,2019-02-05

[4]

氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物薄膜 [P].

奈良淳史 ;

关秀人 .

中国专利 :CN105821377A ,2016-08-03

[5]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和氧化物薄膜 [P].

奈良淳史 ;

关秀人 .

中国专利 :CN107207356B ,2017-09-26

[6]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

后藤裕史 ;

岩崎祐纪 ;

得平雅也 ;

米田阳一郎 .

中国专利 :CN103201232B ,2013-07-10

[7]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

后藤裕史 ;

岩崎祐纪 .

中国专利 :CN103415488A ,2013-11-27

[8]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

松元谦士 ;

井上雅树 ;

中村信一郎 ;

矢野智泰 .

中国专利 :CN110741106A ,2020-01-31

[9]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

西山功兵 ;

田尾幸树 .

中国专利 :CN110636996B ,2019-12-31

[10]

氧化物烧结体、溅射靶及氧化物薄膜 [P].

寺村享祐 .

中国专利 :CN111448336B ,2020-07-24

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