氧化物烧结体及溅射靶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280011369.1

申请日：

2012-03-01

公开(公告)号：

CN103415488A

公开(公告)日：

2013-11-27

发明(设计)人：

后藤裕史岩崎祐纪

申请人：

申请人地址：

日本兵库县

IPC主分类号：

C04B35453

IPC分类号：

C04B35457 C23C1408 C23C1434 H01L21363

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

蒋亭

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-28	授权	授权
2013-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101555326213 IPC(主分类):C04B 35/453 专利申请号:2012800113691 申请日:20120301
2013-11-27	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

后藤裕史 ;

岩崎祐纪 .

中国专利 :CN103429554A ,2013-12-04

[2]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

后藤裕史 ;

岩崎祐纪 ;

得平雅也 ;

米田阳一郎 .

中国专利 :CN103201232B ,2013-07-10

[3]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

田尾幸树 ;

金丸守贺 ;

南部旭 ;

畠英雄 .

中国专利 :CN104619673B ,2015-05-13

[4]

氧化物烧结体以及溅射标靶 [P].

岩崎祐纪 ;

后藤裕史 ;

金丸守贺 .

中国专利 :CN103380099A ,2013-10-30

[5]

氧化物烧结体以及溅射标靶 [P].

金丸守贺 ;

岩崎祐纪 ;

松井实 ;

后藤裕史 ;

南部旭 .

中国专利 :CN103298767B ,2013-09-11

[6]

氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶 [P].

笘井重和 ;

井上一吉 ;

江端一晃 ;

柴田雅敏 ;

宇都野太 ;

霍间勇辉 ;

石原悠 .

中国专利 :CN115340360A ,2022-11-15

[7]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

松元谦士 ;

井上雅树 ;

中村信一郎 ;

矢野智泰 .

中国专利 :CN110741106A ,2020-01-31

[8]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

西山功兵 ;

田尾幸树 .

中国专利 :CN110636996B ,2019-12-31

[9]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

西山功兵 ;

田尾幸树 .

中国专利 :CN110662727A ,2020-01-07

[10]

氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106029604A ,2016-10-12

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