氧化物烧结体以及溅射标靶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280005106.X

申请日：

2012-02-09

公开(公告)号：

CN103298767B

公开(公告)日：

2013-09-11

发明(设计)人：

金丸守贺岩崎祐纪松井实后藤裕史南部旭

申请人：

申请人地址：

日本国兵库县

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C23C1434 C04B35453 C04B35457

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

洪秀川

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101529130306 IPC(主分类):C04B 35/453 专利申请号:201280005106X 申请日:20120209
2013-09-11	公开	公开
2014-09-03	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化物烧结体以及溅射标靶 [P].

岩崎祐纪 ;

后藤裕史 ;

金丸守贺 .

中国专利 :CN103380099A ,2013-10-30

[2]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

后藤裕史 ;

岩崎祐纪 ;

得平雅也 ;

米田阳一郎 .

中国专利 :CN103201232B ,2013-07-10

[3]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

后藤裕史 ;

岩崎祐纪 .

中国专利 :CN103415488A ,2013-11-27

[4]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

后藤裕史 ;

岩崎祐纪 .

中国专利 :CN103429554A ,2013-12-04

[5]

氧化物烧结体以及溅射用靶 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 .

中国专利 :CN108698933A ,2018-10-23

[6]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

田尾幸树 ;

金丸守贺 ;

南部旭 ;

畠英雄 .

中国专利 :CN104619673B ,2015-05-13

[7]

氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物半导体膜 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

笘井重和 ;

柴田雅敏 ;

丝濑麻美 .

中国专利 :CN109071359B ,2018-12-21

[8]

氧化物烧结体及溅射靶、以及其制造方法 [P].

田尾幸树 ;

畠英雄 ;

南部旭 ;

金丸守贺 .

中国专利 :CN104619674A ,2015-05-13

[9]

氧化物烧结体以及溅射靶 [P].

井上一吉 ;

笘井重和 ;

柴田雅敏 ;

竹岛基浩 .

中国专利 :CN109311756B ,2019-02-05

[10]

氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106029604A ,2016-10-12

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