氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而得到的氧化物半导体薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580009757.X

申请日：

2015-02-12

公开(公告)号：

CN106029604A

公开(公告)日：

2016-10-12

发明(设计)人：

中山德行西村英一郎松村文彦井藁正史

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C04B3500

IPC分类号：

C23C1434 C23C1458 H01L21363

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

李英艳;张永康

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-05	授权	授权
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687265610 IPC(主分类):C04B 35/00 专利申请号:201580009757X 申请日:20150212
2019-02-22	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C04B 35/00 登记生效日:20190130 变更事项:申请人变更前权利人:住友金属矿山株式会社变更后权利人:三井金属矿业株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都
2016-10-12	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106029603A ,2016-10-12

[2]

氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而获得的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106103379A ,2016-11-09

[3]

氧化物烧结体、溅射靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106414366A ,2017-02-15

[4]

氧化物烧结体、溅射靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106458759A ,2017-02-22

[5]

氧化物烧结体、溅射用靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106103380A ,2016-11-09

[6]

氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物半导体膜 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

笘井重和 ;

柴田雅敏 ;

丝濑麻美 .

中国专利 :CN109071359B ,2018-12-21

[7]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

后藤裕史 ;

岩崎祐纪 ;

得平雅也 ;

米田阳一郎 .

中国专利 :CN103201232B ,2013-07-10

[8]

氧化物烧结体、溅射用靶、以及使用其得到的氧化物半导体薄膜 [P].

西村英一郎 ;

中山德行 ;

松村文彦 .

中国专利 :CN107001144A ,2017-08-01

[9]

氧化物烧结体、溅射用靶以及用其得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106132903A ,2016-11-16

[10]

氧化物烧结体、溅射用靶、以及用其得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106132901A ,2016-11-16

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