氧化物烧结体、溅射靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580029802.8

申请日：

2015-06-24

公开(公告)号：

CN106458759A

公开(公告)日：

2017-02-22

发明(设计)人：

中山德行西村英一郎松村文彦井藁正史

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C04B3500

IPC分类号：

C01G1500 C23C1408 C23C1434 H01L2120 H01L21363

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

李英艳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708698872 IPC(主分类):C04B 35/00 专利申请号:2015800298028 申请日:20150624
2019-09-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/363 申请公布日:20170222
2017-02-22	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化物烧结体、溅射靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106414366A ,2017-02-15

[2]

氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106029604A ,2016-10-12

[3]

氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106029603A ,2016-10-12

[4]

氧化物烧结体、溅射用靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106132902A ,2016-11-16

[5]

氧化物烧结体、溅射用靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106103380A ,2016-11-09

[6]

氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而获得的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106103379A ,2016-11-09

[7]

氧化物烧结体、溅射用靶、以及使用其得到的氧化物半导体薄膜 [P].

西村英一郎 ;

中山德行 ;

松村文彦 .

中国专利 :CN107001144A ,2017-08-01

[8]

氧化物烧结体、溅射用靶以及用其得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106164014A ,2016-11-23

[9]

氧化物烧结体、溅射用靶以及用其得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106132903A ,2016-11-16

[10]

氧化物烧结体、溅射用靶、以及用其得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106132901A ,2016-11-16

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