氧化物烧结体、溅射用靶、以及使用其得到的氧化物半导体薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580063271.4

申请日：

2015-11-16

公开(公告)号：

CN107001144A

公开(公告)日：

2017-08-01

发明(设计)人：

西村英一郎中山德行松村文彦

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C04B3500

IPC分类号：

C23C1408 C23C1434 C23C1458 H01L21203 H01L21363

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

李英艳;张永康

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101743983307 IPC(主分类):C04B 35/00 专利申请号:2015800632714 申请日:20151116
2017-08-01	公开	公开
2020-07-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B 35/00 申请公布日:20170801

共 50 条

[1]

氧化物烧结体、溅射用靶以及用其得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106164014A ,2016-11-23

[2]

氧化物烧结体、溅射用靶以及用其得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106132903A ,2016-11-16

[3]

氧化物烧结体、溅射用靶、以及用其得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106132901A ,2016-11-16

[4]

氧化物烧结体、溅射用靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106132902A ,2016-11-16

[5]

氧化物烧结体、溅射用靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106103380A ,2016-11-09

[6]

氧化物烧结体、溅射靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106458759A ,2017-02-22

[7]

氧化物烧结体、溅射靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106414366A ,2017-02-15

[8]

氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106029604A ,2016-10-12

[9]

氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而得到的氧化物半导体薄膜 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN106029603A ,2016-10-12

[10]

氧化物烧结体以及溅射用靶 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 .

中国专利 :CN108698933A ,2018-10-23

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