利用原子层沉积制备薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98122757.0

申请日：

1998-12-04

公开(公告)号：

CN1200135C

公开(公告)日：

2000-02-16

发明(设计)人：

金荣宽李相忍朴昌洙李相旼

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

C23C1644

IPC分类号：

C30B2502 C30B2514

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

龙传红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-05-04	授权	授权
2016-01-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101643903901 IPC(主分类):C23C 16/44 专利号:ZL981227570 申请日:19981204 授权公告日:20050504 终止日期:20141204
2000-02-16	公开	公开

共 50 条

[1]

利用原子层沉积制备薄膜的方法 [P].

解婧 ;

李超波 ;

夏洋 .

中国专利 :CN103866285B ,2014-06-18

[2]

原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法 [P].

陈蓉 ;

曹坤 ;

严谨 ;

单斌 ;

李易诚 ;

胡嘉成 .

中国专利 :CN115198252B ,2024-04-23

[3]

利用原子层沉积法形成薄膜的方法 [P].

金荣宽 ;

朴泳旭 ;

林载顺 ;

崔城济 ;

李相忍 .

中国专利 :CN1234909C ,2001-04-25

[4]

薄膜原子层沉积方法 [P].

田正豪 ;

李丹 ;

张渊明 ;

秦芳 .

中国专利 :CN120505605A ,2025-08-19

[5]

原子层沉积装置及利用其的原子层沉积方法 [P].

崔鹤永 ;

崔永太 ;

金栋元 ;

金相勋 ;

金根植 .

中国专利 :CN112654732A ,2021-04-13

[6]

原子层沉积技术制备薄膜的实现方法 [P].

李春雷 ;

李东旗 ;

何金正 .

中国专利 :CN105568256A ,2016-05-11

[7]

金属薄膜的原子层沉积方法 [P].

水谷文一 ;

东慎太郎 ;

竹泽直幸 .

中国专利 :CN110945157A ,2020-03-31

[8]

一种利用原子层沉积制备单质钨薄膜的方法 [P].

丁玉强 ;

周洪 .

中国专利 :CN118880287A ,2024-11-01

[9]

原子层沉积方法 [P].

王怀超 ;

王河新 .

中国专利 :CN118291950A ,2024-07-05

[10]

一种原子层沉积薄膜的制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN117684153A ,2024-03-12

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