SiGeSn层及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410063268.X

申请日：

2014-02-25

公开(公告)号：

CN103839774A

公开(公告)日：

2014-06-04

发明(设计)人：

肖磊王敬赵梅梁仁荣许军

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区100084-82信箱

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L29161

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

张大威

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20140604
2014-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583460211 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:201410063268X 申请日:20140225
2014-06-04	公开	公开

共 50 条

[1]

SiGeSn层及其形成方法 [P].

肖磊 ;

王敬 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103839788A ,2014-06-04

[2]

选区SiGeSn层及其形成方法 [P].

肖磊 ;

王敬 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103839789A ,2014-06-04

[3]

选区SiGeSn层及其形成方法 [P].

肖磊 ;

王敬 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103839786A ,2014-06-04

[4]

具有SiGeSn沟道的MOSFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103839828A ,2014-06-04

[5]

具有SiGeSn沟道的MOSFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103839830A ,2014-06-04

[6]

具有SiGeSn源漏的MOSFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103839827A ,2014-06-04

[7]

具有SiGeSn源漏的MOSFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103839980B ,2014-06-04

[8]

GeSn层及其形成方法 [P].

肖磊 ;

王敬 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103811304A ,2014-05-21

[9]

选区GeSn层及其形成方法 [P].

肖磊 ;

王敬 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103839775A ,2014-06-04

[10]

相变材料层及其形成方法、相变存储装置及其形成方法 [P].

李琎一 ;

赵性来 ;

朴瑛琳 ;

朴惠英 .

中国专利 :CN101106177B ,2008-01-16

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