相变材料层及其形成方法、相变存储装置及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710136265.4

申请日：

2007-07-12

公开(公告)号：

CN101106177B

公开(公告)日：

2008-01-16

发明(设计)人：

李琎一赵性来朴瑛琳朴惠英

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

H01L2724 G11C1156

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

郭鸿禧;常桂珍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-16	公开	公开
2011-11-16	授权	授权
2009-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

相变层及其形成方法,相变存储器件及其制造方法 [P].

申雄澈 ;

朴柱哲 .

中国专利 :CN101271960B ,2008-09-24

[2]

相变存储器及其形成方法 [P].

何作鹏 ;

李志超 ;

赵洪波 .

中国专利 :CN105244437A ,2016-01-13

[3]

相变存储器件及其形成方法 [P].

李东颖 ;

林毓超 ;

余绍铭 .

中国专利 :CN113517393A ,2021-10-19

[4]

相变存储器及其形成方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN102760831A ,2012-10-31

[5]

相变存储器件及其形成方法 [P].

李东颖 ;

林毓超 ;

余绍铭 .

中国专利 :CN113517393B ,2024-05-28

[6]

相变存储器及其形成方法 [P].

三重野文健 ;

庞军玲 ;

洪中山 .

中国专利 :CN102376877A ,2012-03-14

[7]

相变存储器及其形成方法 [P].

伏广才 ;

李志超 .

中国专利 :CN105655486A ,2016-06-08

[8]

相变存储单元及其形成方法 [P].

徐成 ;

吴关平 ;

朱南飞 ;

任佳栋 .

中国专利 :CN102800805B ,2012-11-28

[9]

相变存储器件及其形成方法 [P].

郑元哲 ;

金亨俊 ;

朴哉炫 ;

郑椙旭 .

中国专利 :CN100456512C ,2005-06-01

[10]

存储装置及其形成方法 [P].

闵仲强 ;

黄昶智 ;

曾元泰 ;

曾国权 ;

朱益辉 .

中国专利 :CN113838972A ,2021-12-24

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