一种生长在金属Al衬底上的AlN薄膜及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410240802.X

申请日：

2014-05-30

公开(公告)号：

CN103996612B

公开(公告)日：

2014-08-20

发明(设计)人：

李国强

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L3300 H01L3302 H01L3118 H01L310248

代理机构：

广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288

代理人：

汤喜友

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586965081 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:201410240802X 申请日:20140530
2014-08-20	公开	公开
2020-04-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/205 登记生效日:20200319 变更事项:专利权人变更前权利人:广州市众拓光电科技有限公司变更后权利人:广州市艾佛光通科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房变更后权利人:510000 广东省广州市黄埔区金中路23号自编一栋办公区303房
2017-05-10	授权	授权

共 50 条

[1]

一种生长在金属Al衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996611A ,2014-08-20

[2]

一种生长在金属Al衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204130574U ,2015-01-28

[3]

一种生长在金属Al衬底上的AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204189815U ,2015-03-04

[4]

生长在金属Ag衬底上的AlN薄膜及其制备方法、应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN102945898B ,2013-02-27

[5]

一种生长在金属铝衬底上的AlN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996610A ,2014-08-20

[6]

一种生长在Si衬底上的AlN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103022295A ,2013-04-03

[7]

生长在Cu衬底的AlN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996615A ,2014-08-20

[8]

一种生长在金属铝衬底上的AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204257684U ,2015-04-08

[9]

一种生长在金属Al衬底上的LED外延片及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996763B ,2014-08-20

[10]

生长在蓝宝石衬底上的金属Al单晶薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996607B ,2014-08-20

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