生长在蓝宝石衬底上的金属Al单晶薄膜及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410240851.3

申请日：

2014-05-30

公开(公告)号：

CN103996607B

公开(公告)日：

2014-08-20

发明(设计)人：

李国强

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21268 H01L3332 H01L310352

代理机构：

广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288

代理人：

汤喜友

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-19	授权	授权
2014-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586961229 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2014102408513 申请日:20140530
2014-08-20	公开	公开

共 50 条

[1]

生长在蓝宝石衬底上的金属Al单晶薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204189814U ,2015-03-04

[2]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996606B ,2014-08-20

[3]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996614A ,2014-08-20

[4]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204045614U ,2014-12-24

[5]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203895487U ,2014-10-22

[6]

一种生长在金属Al衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996611A ,2014-08-20

[7]

一种生长在金属Al衬底上的AlN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996612B ,2014-08-20

[8]

一种生长在金属Al衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204130574U ,2015-01-28

[9]

生长在Si衬底上的AlGaN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN104037282A ,2014-09-10

[10]

一种生长在蓝宝石衬底上的复合缓冲层及制备方法 [P].

陈平平 ;

陆卫 ;

刘昭麟 ;

李天信 ;

王少伟 ;

陈效双 .

中国专利 :CN100407465C ,2007-04-11

← 1 2 3 4 5 →