生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420289160.8

申请日：

2014-05-30

公开(公告)号：

CN204045614U

公开(公告)日：

2014-12-24

发明(设计)人：

李国强

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L310248

代理机构：

广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288

代理人：

汤喜友

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-24	授权	授权

共 50 条

[1]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203895487U ,2014-10-22

[2]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996614A ,2014-08-20

[3]

生长在蓝宝石衬底上的金属Al单晶薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204189814U ,2015-03-04

[4]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996606B ,2014-08-20

[5]

生长在玻璃衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

张曙光 .

中国专利 :CN206422089U ,2017-08-18

[6]

生长在Zr衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204130576U ,2015-01-28

[7]

生长在W衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

刘作莲 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204067411U ,2014-12-31

[8]

一种生长在蓝宝石衬底上的InGaN/GaN多量子阱结构 [P].

邓顺达 ;

林溪汉 ;

林政德 .

中国专利 :CN204257685U ,2015-04-08

[9]

生长在Cu衬底的GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204204895U ,2015-03-11

[10]

生长在蓝宝石衬底上的金属Al单晶薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996607B ,2014-08-20

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