生长在蓝宝石衬底上的金属Al单晶薄膜

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420289062.4

申请日：

2014-05-30

公开(公告)号：

CN204189814U

公开(公告)日：

2015-03-04

发明(设计)人：

李国强

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L310248

代理机构：

广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288

代理人：

汤喜友

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-04	授权	授权

共 50 条

[1]

生长在蓝宝石衬底上的金属Al单晶薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996607B ,2014-08-20

[2]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204045614U ,2014-12-24

[3]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203895487U ,2014-10-22

[4]

一种生长在金属Al衬底上的AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204189815U ,2015-03-04

[5]

一种生长在金属Al衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204130574U ,2015-01-28

[6]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996614A ,2014-08-20

[7]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996606B ,2014-08-20

[8]

一种生长在蓝宝石衬底上的InGaN/GaN多量子阱结构 [P].

邓顺达 ;

林溪汉 ;

林政德 .

中国专利 :CN204257685U ,2015-04-08

[9]

生长在金属Ag衬底上的AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN202996884U ,2013-06-12

[10]

一种在蓝宝石衬底材料上外延生长AlXGa1－XN单晶薄膜的方法 [P].

陈长清 .

中国专利 :CN1900386A ,2007-01-24

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