一种生长在蓝宝石衬底上的复合缓冲层及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610117009.6

申请日：

2006-10-11

公开(公告)号：

CN100407465C

公开(公告)日：

2007-04-11

发明(设计)人：

陈平平陆卫刘昭麟李天信王少伟陈效双

申请人：

申请人地址：

200083上海市玉田路500号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L310304 H01L2920 H01L2120

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

郭英

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101690203844 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2006101170096 申请日:20061011 授权公告日:20080730 终止日期:20151011
2007-04-11	公开	公开
2010-11-10	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101039197901 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2006101170096 专利号:ZL2006101170096 合同备案号:2010110000153 让与人:中国科学院上海技术物理研究所受让人:北京物华天宝安全玻璃有限公司发明名称:一种生长在蓝宝石衬底上的复合缓冲层及制备方法申请日:20061011 公开日:20070411 授权公告日:20080730 许可种类:独占许可备案日期:20100914
2007-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-07-30	授权	授权

共 50 条

[1]

生长在蓝宝石衬底上的金属Al单晶薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204189814U ,2015-03-04

[2]

生长在蓝宝石衬底上的金属Al单晶薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996607B ,2014-08-20

[3]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204045614U ,2014-12-24

[4]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203895487U ,2014-10-22

[5]

蓝宝石衬底同温双缓冲层制备方法 [P].

王新建 .

中国专利 :CN101471400A ,2009-07-01

[6]

一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片 [P].

杨柳 ;

文波 ;

盛芳 .

中国专利 :CN215527747U ,2022-01-14

[7]

一种生长在蓝宝石衬底上的硫化钼二维材料的制备方法 [P].

莫炯炯 ;

王志宇 ;

陈华 ;

郁发新 .

中国专利 :CN110670125A ,2020-01-10

[8]

一种生长在蓝宝石衬底上的InGaN/GaN多量子阱结构 [P].

邓顺达 ;

林溪汉 ;

林政德 .

中国专利 :CN204257685U ,2015-04-08

[9]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996614A ,2014-08-20

[10]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996606B ,2014-08-20

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