蚀刻硅晶片边缘的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980111773.4

申请日：

2009-03-31

公开(公告)号：

CN101981664A

公开(公告)日：

2011-02-23

发明(设计)人：

H·F·埃瑞克 P·D·阿尔布雷克特 E·R·霍兰德 T·E·多恩 J·A·施密特 R·R·旺达姆 G·张

申请人：

申请人地址：

美国密苏里州

IPC主分类号：

H01L21302

IPC分类号：

H01L21304 H01L21306 H01L2100 H01L21673

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

马江立;秘凤华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-08-28	授权	授权
2011-02-23	公开	公开
2011-04-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101062496076 IPC(主分类):H01L 21/302 专利申请号:2009801117734 申请日:20090331
2016-05-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101661350117 IPC(主分类):H01L 21/302 专利号:ZL2009801117734 申请日:20090331 授权公告日:20130828 终止日期:20150331

共 50 条

[1]

用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液及硅晶片的碱蚀刻方法 [P].

西村茂树 .

中国专利 :CN1648287A ,2005-08-03

[2]

一种硅晶片蚀刻方法 [P].

陶金 .

中国专利 :CN112676705B ,2021-04-20

[3]

硅晶片的受控边缘厚度 [P].

K·利特 ;

Q·特兰 .

中国专利 :CN101521202B ,2009-09-02

[4]

硅晶片的清洗方法、硅晶片的制造方法、以及硅晶片 [P].

中尾文彰 ;

芦马溪 ;

小田悠 .

日本专利 :CN121219817A ,2025-12-26

[5]

硅晶片的评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法以及硅晶片 [P].

森敬一朗 .

中国专利 :CN109690746A ,2019-04-26

[6]

硅晶片的评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法以及硅晶片 [P].

森敬一朗 .

日本专利 :CN109690746B ,2024-02-09

[7]

硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法 [P].

矶贝宏道 ;

仙田刚士 ;

丰田英二 ;

村山久美子 ;

泉妻宏治 ;

前田进 ;

鹿岛一日児 ;

荒木浩司 ;

青木竜彦 ;

须藤治生 ;

望月阳一郎 ;

小林昭彦 ;

符森林 .

中国专利 :CN101638807B ,2010-02-03

[8]

硅晶片的制造方法及硅晶片 [P].

杉森胜久 ;

小佐佐和明 .

中国专利 :CN105097444B ,2015-11-25

[9]

晶片蚀刻系统和使用所述晶片蚀刻系统的晶片蚀刻方法 [P].

柳基龙 ;

朴生万 ;

内山昌彦 .

中国专利 :CN104246991A ,2014-12-24

[10]

硅晶片和硅晶片的制造方法 [P].

藤濑淳 ;

小野敏昭 .

日本专利 :CN113745093B ,2024-05-10

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