一种硅晶片蚀刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011447375.4

申请日：

2020-12-09

公开(公告)号：

CN112676705B

公开(公告)日：

2021-04-20

发明(设计)人：

陶金

申请人：

申请人地址：

028000 内蒙古自治区通辽市奈曼旗工业园区A区仁创大街南侧、蒙东路西侧

IPC主分类号：

B23K26362

IPC分类号：

B23K2608 B23K2670 B23K10140

代理机构：

北京高航知识产权代理有限公司 11530

代理人：

乔浩刚

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-06	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):B23K 26/362 登记生效日:20220824 变更事项:申请人变更前权利人:陶金变更后权利人:内蒙古兴固科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:518000 广东省深圳市宝安区航城街道三围社区航城大道159号航城创新创业园A5-802 变更后权利人:028000 内蒙古自治区通辽市奈曼旗工业园区A区仁创大街南侧、蒙东路西侧
2021-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B23K 26/362 申请日:20201209
2022-09-13	授权	授权
2021-04-20	公开	公开

共 50 条

[1]

晶片蚀刻系统和使用所述晶片蚀刻系统的晶片蚀刻方法 [P].

柳基龙 ;

朴生万 ;

内山昌彦 .

中国专利 :CN104246991A ,2014-12-24

[2]

晶片蚀刻装置和使用该装置的晶片蚀刻方法 [P].

朴生万 ;

吴丞倍 .

中国专利 :CN104137234A ,2014-11-05

[3]

晶片蚀刻装置 [P].

尹炳文 .

中国专利 :CN109300803B ,2019-02-01

[4]

半导体晶片蚀刻设备 [P].

黄建光 ;

吕亚明 ;

徐新华 ;

王磊 ;

陆基益 .

中国专利 :CN103137414B ,2013-06-05

[5]

半导体晶片蚀刻设备 [P].

黄建光 ;

吕亚明 ;

徐新华 ;

王磊 ;

陈基益 .

中国专利 :CN202352642U ,2012-07-25

[6]

硅晶片蚀刻废水处理系统 [P].

施道可 ;

范琼 ;

潘加永 ;

蒋丽 ;

C·贝尔瑙尔 .

中国专利 :CN202643489U ,2013-01-02

[7]

晶片蚀刻装置及其使用方法 [P].

尹炳文 .

中国专利 :CN109216227A ,2019-01-15

[8]

蚀刻硅晶片边缘的方法 [P].

H·F·埃瑞克 ;

P·D·阿尔布雷克特 ;

E·R·霍兰德 ;

T·E·多恩 ;

J·A·施密特 ;

R·R·旺达姆 ;

G·张 .

中国专利 :CN101981664A ,2011-02-23

[9]

一体式硅晶片蚀刻浆料清洗机 [P].

许庭静 ;

杨阳 .

中国专利 :CN202473888U ,2012-10-03

[10]

用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液及硅晶片的碱蚀刻方法 [P].

西村茂树 .

中国专利 :CN1648287A ,2005-08-03

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