半导体晶片蚀刻设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110389305.2

申请日：

2011-11-30

公开(公告)号：

CN103137414B

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

黄建光吕亚明徐新华王磊陆基益

申请人：

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山市开发区高科技工业园汉浦路303号

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

C23F108 H01L2100 H01L2167

代理机构：

昆山四方专利事务所 32212

代理人：

盛建德

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-05	公开	公开
2015-09-23	授权	授权
2013-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101486724134 IPC(主分类):H01J 37/32 专利申请号:2011103893052 申请日:20111130

共 50 条

[1]

半导体晶片蚀刻设备 [P].

黄建光 ;

吕亚明 ;

徐新华 ;

王磊 ;

陈基益 .

中国专利 :CN202352642U ,2012-07-25

[2]

半导体晶片蚀刻辅助装置 [P].

崔相玉 .

中国专利 :CN203631484U ,2014-06-04

[3]

用以蚀刻半导体晶片的设备 [P].

D·卢博米尔斯基 ;

T·F·谭 ;

崔伦 .

中国专利 :CN102027587A ,2011-04-20

[4]

半导体晶片等离子蚀刻装置 [P].

许赞 .

中国专利 :CN207082516U ,2018-03-09

[5]

晶片蚀刻系统和使用所述晶片蚀刻系统的晶片蚀刻方法 [P].

柳基龙 ;

朴生万 ;

内山昌彦 .

中国专利 :CN104246991A ,2014-12-24

[6]

晶片蚀刻装置 [P].

尹炳文 .

中国专利 :CN109300803B ,2019-02-01

[7]

半导体晶片 [P].

宫下昭 ;

讃岐幸悦 ;

佐藤正和 .

中国专利 :CN1545723A ,2004-11-10

[8]

半导体晶片气蚀装置 [P].

黄建光 ;

吕亚明 ;

徐新华 ;

王磊 ;

陈基益 .

中国专利 :CN202394847U ,2012-08-22

[9]

半导体晶片气蚀装置 [P].

黄建光 ;

吕亚明 ;

徐新华 ;

王磊 ;

陆基益 .

中国专利 :CN103137520B ,2013-06-05

[10]

一种用于蚀刻半导体晶片的设备 [P].

王珏 .

中国专利 :CN113206028A ,2021-08-03

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