半导体晶片蚀刻辅助装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320849382.6

申请日：

2013-12-20

公开(公告)号：

CN203631484U

公开(公告)日：

2014-06-04

发明(设计)人：

崔相玉

申请人：

申请人地址：

221000 江苏省徐州市经济开发区杨山路88号

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01J3720

代理机构：

徐州支点知识产权代理事务所(普通合伙) 32244

代理人：

刘新合

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20131220 授权公告日:20140604 终止日期:20211220
2014-06-04	授权	授权
2015-11-18	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101723912309 IPC(主分类):H01J 37/32 专利号:ZL2013208493826 变更事项:专利权人变更前:徐州同鑫光电科技有限公司变更后:徐州同鑫光电科技股份有限公司变更事项:地址变更前:221000 江苏省徐州市经济开发区杨山路88号变更后:221000 江苏省徐州市经济开发区杨山路88号

共 50 条

[1]

半导体晶片蚀刻设备 [P].

黄建光 ;

吕亚明 ;

徐新华 ;

王磊 ;

陆基益 .

中国专利 :CN103137414B ,2013-06-05

[2]

半导体晶片蚀刻设备 [P].

黄建光 ;

吕亚明 ;

徐新华 ;

王磊 ;

陈基益 .

中国专利 :CN202352642U ,2012-07-25

[3]

半导体晶片等离子蚀刻装置 [P].

许赞 .

中国专利 :CN207082516U ,2018-03-09

[4]

半导体晶片的托起装置 [P].

徐杰 ;

郭金源 .

中国专利 :CN204361073U ,2015-05-27

[5]

用以蚀刻半导体晶片的设备 [P].

D·卢博米尔斯基 ;

T·F·谭 ;

崔伦 .

中国专利 :CN102027587A ,2011-04-20

[6]

半导体晶片 [P].

孙倩 ;

陈伟钿 ;

张永杰 ;

周永昌 ;

李浩南 .

中国专利 :CN212084974U ,2020-12-04

[7]

半导体晶片显影装置 [P].

王晓岑 ;

裘立强 ;

王毅 .

中国专利 :CN203324649U ,2013-12-04

[8]

半导体晶片清洗装置 [P].

马祖光 ;

郭光辉 .

中国专利 :CN208923038U ,2019-05-31

[9]

半导体晶片气蚀装置 [P].

黄建光 ;

吕亚明 ;

徐新华 ;

王磊 ;

陈基益 .

中国专利 :CN202394847U ,2012-08-22

[10]

半导体晶片清洗装置 [P].

陈海 ;

顾正龙 .

中国专利 :CN210722959U ,2020-06-09

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