半导体晶片等离子蚀刻装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720989277.0

申请日：

2017-08-09

公开(公告)号：

CN207082516U

公开(公告)日：

2018-03-09

发明(设计)人：

许赞

申请人：

申请人地址：

401326 重庆市九龙坡区西彭镇森迪大道66号附72号

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

H01J3732

代理机构：

重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙) 50216

代理人：

龙玉洪

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-09	授权	授权

共 50 条

[1]

一种用于半导体晶片的等离子蚀刻装置 [P].

丁雪苗 ;

赵公魄 ;

赵芝强 .

中国专利 :CN120237065B ,2025-08-12

[2]

一种用于半导体晶片的等离子蚀刻装置 [P].

丁雪苗 ;

赵公魄 ;

赵芝强 .

中国专利 :CN120237065A ,2025-07-01

[3]

半导体晶片蚀刻辅助装置 [P].

崔相玉 .

中国专利 :CN203631484U ,2014-06-04

[4]

半导体晶片蚀刻设备 [P].

黄建光 ;

吕亚明 ;

徐新华 ;

王磊 ;

陆基益 .

中国专利 :CN103137414B ,2013-06-05

[5]

半导体晶片蚀刻设备 [P].

黄建光 ;

吕亚明 ;

徐新华 ;

王磊 ;

陈基益 .

中国专利 :CN202352642U ,2012-07-25

[6]

用于半导体晶片干燥蚀刻的等离子体加工装置 [P].

吉田和由 .

中国专利 :CN1158003A ,1997-08-27

[7]

等离子蚀刻装置及等离子蚀刻系统 [P].

丁雪苗 ;

赵公魄 ;

赵芝强 .

中国专利 :CN212517132U ,2021-02-09

[8]

一种等离子蚀刻装置 [P].

马文勇 ;

王庆环 ;

周志刚 ;

李可 .

中国专利 :CN120809562A ,2025-10-17

[9]

用以蚀刻半导体晶片的设备 [P].

D·卢博米尔斯基 ;

T·F·谭 ;

崔伦 .

中国专利 :CN102027587A ,2011-04-20

[10]

半导体晶片 [P].

孙倩 ;

陈伟钿 ;

张永杰 ;

周永昌 ;

李浩南 .

中国专利 :CN212084974U ,2020-12-04

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