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半导体晶片气蚀装置
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201120488506.3
申请日：
2011-11-30
公开(公告)号：
CN202394847U
公开(公告)日：
2012-08-22
发明(设计)人：
黄建光
吕亚明
徐新华
王磊
陈基益
申请人：
申请人地址：
215300 江苏省苏州市昆山市开发区高科技工业园汉浦路303号
IPC主分类号：
H01L2167
IPC分类号：
代理机构：
昆山四方专利事务所 32212
代理人：
盛建德
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2012-08-22 | 授权 | 授权 |
| 2021-12-17 | 专利权的终止 | 专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20111130 授权公告日:20120822 |