半导体晶片气蚀装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110389696.8

申请日：

2011-11-30

公开(公告)号：

CN103137520B

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

黄建光吕亚明徐新华王磊陆基益

申请人：

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山市开发区高科技工业园汉浦路303号

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

代理机构：

昆山四方专利事务所 32212

代理人：

盛建德

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-05	公开	公开
2016-02-17	授权	授权
2013-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101486725264 IPC(主分类):H01L 21/67 专利申请号:2011103896968 申请日:20111130

共 50 条

[1]

半导体晶片气蚀装置 [P].

黄建光 ;

吕亚明 ;

徐新华 ;

王磊 ;

陈基益 .

中国专利 :CN202394847U ,2012-08-22

[2]

半导体晶片 [P].

宫下昭 ;

讃岐幸悦 ;

佐藤正和 .

中国专利 :CN1545723A ,2004-11-10

[3]

半导体晶片研磨装置和半导体晶片研磨方法 [P].

久保亨 .

中国专利 :CN1978136B ,2007-06-13

[4]

半导体晶片装置 [P].

陈良恺 ;

洪志强 ;

简文逸 ;

林元鸿 ;

杨昇帆 .

中国专利 :CN119695027A ,2025-03-25

[5]

半导体晶片及半导体装置 [P].

楠木淳也 ;

平野孝 .

中国专利 :CN101044617A ,2007-09-26

[6]

半导体晶片与半导体装置 [P].

郭书铭 .

中国专利 :CN120187183A ,2025-06-20

[7]

半导体晶片及半导体装置 [P].

松尾哲二 .

中国专利 :CN102593160A ,2012-07-18

[8]

半导体装置及半导体晶片 [P].

古田建一 ;

辻本雅夫 ;

寺田信广 ;

原口正博 ;

井上刚 ;

金子裕一 ;

黑木弘树 ;

古平贵章 .

中国专利 :CN114497176A ,2022-05-13

[9]

半导体晶片及半导体装置 [P].

大野天颂 ;

堂前佑辅 .

中国专利 :CN110838515A ,2020-02-25

[10]

半导体装置、半导体晶片与制造半导体晶片的方法 [P].

林孟汉 ;

黄家恩 .

中国专利 :CN114725123A ,2022-07-08

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