石墨型C3N4材料的制备方法、石墨型C3N4材料及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610493224.X

申请日：

2016-06-29

公开(公告)号：

CN106145069A

公开(公告)日：

2016-11-23

发明(设计)人：

胡亮曾光明陈桂秋刘玉堂万佳王龙禄武海鹏陶唯易峰杨江丽

申请人：

申请人地址：

410082 湖南省长沙市河西岳麓山湖南大学环境科学与工程学院

IPC主分类号：

C01B21082

IPC分类号：

C02F130 B01J2724

代理机构：

湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008

代理人：

赵洪;黄艺平

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-22	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B 21/082 申请公布日:20161123
2016-11-23	公开	公开
2016-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101692519547 IPC(主分类):C01B 21/082 专利申请号:201610493224X 申请日:20160629

共 50 条

[1]

含有石墨相C3N4结构的有机多孔材料、其制备和应用 [P].

金尚彬 ;

郭莉萍 ;

谭必恩 ;

潘军全 ;

王宁 .

中国专利 :CN107684928B ,2018-02-13

[2]

一种C3N4的制备方法 [P].

董帆 ;

孙艳娟 ;

刘海涛 ;

边际 ;

傅敏 .

中国专利 :CN102502540A ,2012-06-20

[3]

一种具有N缺陷的C3N4材料的制备方法和应用 [P].

张铁锐 ;

余慧军 ;

吴骊珠 ;

佟振合 .

中国专利 :CN104787734A ,2015-07-22

[4]

一种Au/ND/C3N4复合材料及其制备方法和应用 [P].

于翔 ;

裴敬轩 ;

田振飞 ;

孙一博 .

中国专利 :CN114486850A ,2022-05-13

[5]

一种C3N4薄膜的制备方法 [P].

杨波 ;

张轩豪 ;

刘伟 ;

白敏菂 ;

高宏 ;

何叶 .

中国专利 :CN109371446A ,2019-02-22

[6]

一种g‑C3N4纳米片的制备方法 [P].

徐光青 ;

范程控 ;

苗继琳 ;

吕珺 ;

刘家琴 ;

吴玉程 .

中国专利 :CN106732739A ,2017-05-31

[7]

一种C3N4纳米线的制备方法 [P].

张春勇 ;

文颖频 ;

程洁红 ;

赵德建 ;

舒莉 ;

秦恒飞 ;

刘维桥 ;

周月 ;

郑纯智 ;

张国华 ;

周全法 .

中国专利 :CN107352519B ,2017-11-17

[8]

一种g‑C3N4纳米片及其制备方法与应用 [P].

刘素琴 ;

丁望 ;

袁修贵 ;

何震 .

中国专利 :CN107098323A ,2017-08-29

[9]

一种多孔g-C3N4材料的制备方法及其应用 [P].

郝策 ;

杨娅楠 ;

商文喆 ;

李光兰 .

中国专利 :CN109529908A ,2019-03-29

[10]

一种制备大面积超薄g‑C3N4光催化材料制备的方法 [P].

李慧慧 ;

史安也 .

中国专利 :CN107051570A ,2017-08-18

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