一种C3N4薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811297420.5

申请日：

2018-11-01

公开(公告)号：

CN109371446A

公开(公告)日：

2019-02-22

发明(设计)人：

杨波张轩豪刘伟白敏菂高宏何叶

申请人：

申请人地址：

116026 辽宁省大连市高新园区凌海路1号

IPC主分类号：

C25D1302

IPC分类号：

C25D1322 C25B104 C25B1106

代理机构：

大连东方专利代理有限责任公司 21212

代理人：

毛薇;李馨

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C25D 13/02 申请公布日:20190222
2019-02-22	公开	公开
2019-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 13/02 申请日:20181101

共 50 条

[1]

一种改性C3N4材料的制备方法 [P].

张宏森 ;

王君 ;

刘琦 ;

刘宁 ;

刘静媛 ;

于静 ;

孙高辉 ;

陈蓉蓉 .

中国专利 :CN109126683B ,2019-01-04

[2]

一种g‑C3N4纳米片的制备方法 [P].

徐光青 ;

范程控 ;

苗继琳 ;

吕珺 ;

刘家琴 ;

吴玉程 .

中国专利 :CN106732739A ,2017-05-31

[3]

石墨型C3N4材料的制备方法、石墨型C3N4材料及其应用 [P].

胡亮 ;

曾光明 ;

陈桂秋 ;

刘玉堂 ;

万佳 ;

王龙禄 ;

武海鹏 ;

陶唯 ;

易峰 ;

杨江丽 .

中国专利 :CN106145069A ,2016-11-23

[4]

一种高性能光阳极材料TiO2/g-C3N4光电极薄膜的制备方法 [P].

范晓星 ;

王晓娜 ;

蔡鹤 ;

成祥祥 ;

贾兰 ;

韩宇 ;

王绩伟 .

中国专利 :CN109560169A ,2019-04-02

[5]

一种g‑C3N4/CuO复合材料的制备方法 [P].

谈玲华 ;

徐建华 ;

杭祖圣 ;

寇波 ;

陈宇 ;

郏永强 ;

王均 ;

李志豪 .

中国专利 :CN104707644B ,2015-06-17

[6]

一种TiO2/C3N4/CQDs复合光阳极及其制备方法 [P].

张跃 ;

魏庆一 ;

闫小琴 .

中国专利 :CN106350830A ,2017-01-25

[7]

一种卷曲叶片形纳米层状g‑C3N4的制备方法 [P].

夏明珠 ;

李克斌 ;

王有亮 ;

沈新林 .

中国专利 :CN106115639A ,2016-11-16

[8]

一种富碳g‑C3N4纳米片及其制备方法 [P].

徐光青 ;

范程控 ;

冯强 ;

吕珺 ;

吴玉程 .

中国专利 :CN107185579A ,2017-09-22

[9]

一种g‑C3N4纳米片及其制备方法与应用 [P].

刘素琴 ;

丁望 ;

袁修贵 ;

何震 .

中国专利 :CN107098323A ,2017-08-29

[10]

一种Fe3O4/C3N4复合材料及其制备方法 [P].

严学华 ;

武延泽 ;

任杰 ;

戴煜 ;

陈明 ;

王静静 ;

王琼 ;

潘建梅 ;

程晓农 .

中国专利 :CN106847552A ,2017-06-13

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