一种卷曲叶片形纳米层状g‑C3N4的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610502644.X

申请日：

2016-06-29

公开(公告)号：

CN106115639A

公开(公告)日：

2016-11-16

发明(设计)人：

夏明珠李克斌王有亮沈新林

申请人：

申请人地址：

210094 江苏省南京市孝陵卫200号

IPC主分类号：

C01B21082

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

南京理工大学专利中心 32203

代理人：

刘海霞;朱显国

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-16	公开	公开
2016-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101691374529 IPC(主分类):C01B 21/082 专利申请号:201610502644X 申请日:20160629
2019-06-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B 21/082 申请公布日:20161116

共 50 条

[1]

一种C3N4薄膜的制备方法 [P].

杨波 ;

张轩豪 ;

刘伟 ;

白敏菂 ;

高宏 ;

何叶 .

中国专利 :CN109371446A ,2019-02-22

[2]

一种g‑C3N4/CuO复合材料的制备方法 [P].

谈玲华 ;

徐建华 ;

杭祖圣 ;

寇波 ;

陈宇 ;

郏永强 ;

王均 ;

李志豪 .

中国专利 :CN104707644B ,2015-06-17

[3]

一种纳米层状g-C3N4/Ag@AgCl复合光催化材料的制备方法 [P].

夏明珠 ;

王有亮 ;

李克斌 ;

沈新林 .

中国专利 :CN106669756B ,2017-05-17

[4]

一种g-C3N4纳米卷的制备方法及其应用 [P].

吕建华 ;

孙铭 ;

刘继东 ;

王荷芳 .

中国专利 :CN111068733A ,2020-04-28

[5]

一种一步合成水溶性g‑C3N4材料的制备方法 [P].

李永利 ;

刘宇涵 ;

王金淑 ;

杨亦龙 ;

吴俊书 .

中国专利 :CN106744743A ,2017-05-31

[6]

一种Pt/g-C3N4纳米片的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111082083A ,2020-04-28

[7]

一种制备核壳结构ZnO/g‑C3N4复合材料的方法 [P].

武大鹏 ;

马超 ;

路海 ;

王晓璐 ;

高志永 ;

徐芳 ;

杨东晓 ;

常玖利 ;

蒋凯 .

中国专利 :CN106430286A ,2017-02-22

[8]

一种C3N4改性有机膜的制备方法及应用 [P].

庄涛 ;

赵玉强 ;

张利钧 ;

张建琳 ;

王永新 ;

刘善军 .

中国专利 :CN110961132A ,2020-04-07

[9]

一种二硫化锡-C3N4纳米片阵列光阳极及其制备方法 [P].

吕慧丹 ;

王子良 ;

刘勇平 ;

庄杨 ;

陈丹杨 .

中国专利 :CN113024128A ,2021-06-25

[10]

一种g-C3N4纳米带及其制备方法与应用 [P].

周小松 ;

金蓓 ;

罗金 ;

徐旭耀 .

中国专利 :CN108927202B ,2018-12-04

← 1 2 3 4 5 →